[发明专利]一种氮化物LED结构及其制备方法有效

申请号：	201110209405.2	申请日：	2011-07-25
公开（公告）号：	CN102270718A	公开（公告）日：	2011-12-07
发明（设计）人：	于洪波;肖德元;程蒙召;张汝京	申请（专利权）人：	映瑞光电科技（上海）有限公司
主分类号：	H01L33/20	分类号：	H01L33/20;H01L33/32;H01L33/00
代理公司：	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237	代理人：	郑玮
地址：	201306 上海市浦东新区***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种氮化物 led 结构及其制备方法
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【权利要求书】：

1.一种氮化物LED结构，包括衬底以及在所述衬底上生长的低温成核层和非掺杂氮化物层，其特征在于，在所述低温成核层上生长三维生长层，在所述三维生长层与所述非掺杂氮化物层之间设置有一Al_xIn_1-xN材料层，所述Al_xIn_1-xN材料层具有粗糙表面，所述Al_xIn_1-xN材料层的折射率与所述非掺杂氮化物层的折射率不同，其中，0＜x＜1。

2.如权利要求1所述的氮化物LED结构，其特征在于，所述Al_xIn_1-xN材料层与所述三维生长层的晶格相互匹配。

3.如权利要求1所述的氮化物LED结构，其特征在于，所述氮化物LED结构还包括在所述非掺杂氮化物层上依次形成的N型氮化物层、多量子阱有源层、P型氮化物层，所述Al_xIn_1-xN材料层的禁带宽度大于多量子阱有源层的量子阱的禁带宽度。

4.如权利要求1所述的氮化物LED结构，其特征在于，所述Al_xIn_1-xN材料层具有与所述三维生长层相匹配的粗糙表面。

5.如权利要求4所述的氮化物LED结构，其特征在于，所述三维生长层的粗糙表面为岛状结构。

6.如权利要求1所述的氮化物LED结构，其特征在于，所述Al_xIn_1-xN材料层的折射率和晶格参数通过Al_xIn_1-xN中铝的组分调节。

7.一种氮化物LED结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上依次形成低温成核层、三维生长层，Al_xIn_1-xN材料层、非掺杂的氮化物层；

其中，所述Al_xIn_1-xN材料层具有粗糙表面，所述Al_xIn_1-xN材料层的折射率与所述非掺杂氮化物层的折射率不同。

8.如权利要求7所述的氮化物LED结构，其特征在于，所述Al_xIn_1-xN材料层与所述三维生长层的晶格相互匹配。

9.如权利要求7所述的氮化物LED结构的制备方法，其特征在于，还包括：在所述非掺杂的氮化物层上依次形成N型氮化物层、多量子阱有源层、P型氮化物层，所述Al_xIn_1-xN材料层的禁带宽度大于多量子阱有源层的量子阱的禁带宽度。

10.如权利要求7所述的氮化物LED结构的制备方法，其特征在于，所述Al_xIn_1-xN材料层具有与所述三维生长层相匹配的粗糙表面。