[发明专利]提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法

权利要求书

1.提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法，其特征在于：按以下步骤进行：

第一步、用SiO₂作为衬底的底层，SiO₂层(3)的厚度的计算公式为：其中：λ为蓝绿光的波长，n₂为SiO₂的折射率，k为整数。

第二步、用Si作为衬底的第二层，Si层(2)的厚度的计算公式为：其中：λ为蓝绿光的波长，n₁为Si的折射率，k为整数。

第三步：在Si层上生长GaN层(1)。

2.根据权利要求1所述的提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法，其特征在于：所述的SiO₂层(3)和Si层(2)均为多层，多层SiO₂层(3)和多层Si层(2)间隔设置，最底层为SiO₂层(3)，最顶层为Si层(2)，GaN层(1)设置在最顶层的Si层上方。

3.根据权利要求1或2所述的提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法，其特征在于：所述Si层(2)的最小厚度为77.485nm～84.795nm，所述SiO₂层(3)的最小厚度为172.078nm～188.312nm。

4.根据权利要求3所述的提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法，其特征在于：所述Si层(2)的最小厚度为80.409nm，所述SiO₂层(3)的最小厚度为178.571nm。