[发明专利]LED芯片的制造方法无效
| 申请号： | 201110210137.6 | 申请日： | 2011-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102903797A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 张超雄;林厚德 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 制造 方法 | ||
1.一种LED芯片的制造方法，该制造方法包括步骤：
提供基底；
在基底上形成荧光粉层及与荧光粉层连接的多个间隔设置的电极；
提供半导体晶圆，该晶圆包括第一半导体层、第二半导体层及发光半导体层，将基底与晶圆接合，使基底上的电极与晶圆的第一半导体层电连接；
移除基底；及
切割晶圆成LED芯片。
2.如权利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：该多个电极可由一形成在基底上的导电层通过微影技术形成。
3.如权利要求2所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：相邻电极之间留有空隙。
4.如权利要求3所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：该荧光粉层填满该电极之间留有的空隙。
5.如权利要求4所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：该荧光粉层可通过印刷(printing)、涂布（coating）或注塑(molding)等技术形成。
6.如权利要求5所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：该荧光粉层的厚度和该多个电极的厚度相等。
7.如权利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述第一半导体层为N型半导体层，所述发光半导体层为P-N界面半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层，第二半导体层形成多个通过间隙隔开的不连续区域，多个导电块设置于该N型半导体层上并位于间隙之间。
8.如权利要求7所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：该多个导电块还可以设置在该N型半导体层相对于P-N界面半导体层的另一侧。
9.如权利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述晶圆还可包括基板。
10.如权利要求7所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：半导体晶圆与基底组合时，基底倒置向下，其荧光粉层与电极面向半导体晶圆的P型半导体层及多个电块接合。
11.如权利要求8所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：半导体晶圆与基底组合时，基底倒置向下，其荧光粉层面向半导体晶圆的P型半导体层且该电极在P型半导体层的侧面与其接触。
12.如权利要求10所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：半导体晶圆与基底组合后，基底上的相邻两个电极分别与晶圆上的P型半导体层的一个区域及与该区域相邻的导电块连接，形成第一电极和第二电极。
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