[发明专利]一种超薄单晶硅片和制作该硅片的线切割装置及切割方法

权利要求书

1.一种超薄单晶硅片，其特征在于：硅片厚度为180±20μm。

2.一种制作如权利要求1所述的超薄单晶硅片的线切割装置，其特征在于：具有切割线、主动辊(1)和从动辊，主动辊(1)和从动辊上均具有各自独立均布的线槽(1-1)，所述的线槽(1-1)与切割线相配合，线槽(1-1)的槽口宽度为0.31mm-0.32mm，用于切割硅片的切割线的直径为0.10mm-0.11mm。

3.生产如权利要求1或2所述的一种切割超薄单晶硅片的方法，使用太阳能硅片线切割机对单晶硅锭进行线切割，太阳能硅片线切割机上具有切割线、主动辊(1)和从动辊，主动辊(1)和从动辊上均具有各自独立均布的线槽(1-1)，所述的线槽(1-1)与切割线相配合，其特征是包含以下步骤：

(a)将线槽(1-1)的槽口宽度设置为0.31mm-0.32mm，用于切割硅片的切割线的直径为0.10mm-0.11mm，使片厚控制在180±20μm；

(b)控制主线辊(1)的转速使切割线的线速度为9.4m/s-10.4m/s，设置硅锭的下压速度不超过0.3mm/s，切削液的流量为80-90L/min。

4.如权利要求3所述的一种切割超薄单晶硅片的方法，其特征在于：所述的切削液包括碳化硅粉和砂浆，切削液的保存温度为25℃，湿度控制在60％以内。