[发明专利]一种化学机械研磨方法

权利要求书

1.一种化学机械研磨方法，包括如下步骤：

提供形成有介质层的半导体衬底；

对介质层进行第一次研磨，所述第一次研磨后在介质层表面产生有机物残留；

用碱性试剂对介质层进行第二次研磨，去除介质层表面的有机物残留。

2.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述碱性试剂包括研磨颗粒、清洗剂、螯合剂、防腐蚀化合物以及表面活性剂。

3.根据权利要求2所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述研磨颗粒占所述碱性试剂的质量百分比为1％-15％、所述清洗剂占所述碱性试剂的质量百分比为0.1％-5％、所述螯合剂占所述碱性试剂的质量百分比为0.01％-2％、所述防腐蚀化合物占所述碱性试剂的质量百分比为0.01％-2％、所述表面活性剂占所述碱性试剂的质量百分比为0.01％-1％。

4.根据权利要求2所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述研磨颗粒是胶状二氧化硅或碳化硅或氮化硅或氧化铝或二氧化铈，所述研磨颗粒的直径为35～90nm。

5.根据权利要求2所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述清洗剂所含成分为氢氧化铵或氢氧化四烃基铵。

6.根据权利要求2所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述螯合剂所含成分为柠檬酸铵或草酸铵。

7.根据权利要求2所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述防腐蚀化合物的成分为乙酰氨基酚或甲氧苯酚。

8.根据权利要求2所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述表面活性剂所含的成分为聚氧乙烯或聚丙烯。

9.根据权利要求2所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述碱性试剂的PH值在8-10之间。

10.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述第一次研磨时，研磨头的压力在0.85psi到1.8psi之间。

11.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述第二次研磨时，研磨头的压力在0.5psi到0.7psi之间。

12.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述介质层是低K介质层。

13.根据权利要求12所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述低K介质层的介电常数K小于3。

14.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述第一次研磨采用的是氧化物研磨液。

15.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，在用碱性试剂介质层进行第二次研磨的步骤后还包括如下步骤：

使用去离子水对研磨垫进行清洗；

使用去离子水对所述晶圆进行清洗。