[发明专利]溅射用于基于碲化镉的光伏器件的RTB薄膜的方法

权利要求书

1.一种用于在衬底(12)上沉积电阻透明缓冲薄膜层(16)的方法，所述方法包括：

在按照体积包括约0.01％到约5％的水蒸气的溅射气氛中，在约10℃到约100℃的溅射温度将电阻透明缓冲层(16)溅射在衬底(12)上；以及

在约450℃到约700℃的退火温度退火所述电阻透明缓冲层(16)。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述溅射气氛按照体积包括约0.05％到约1％的水蒸气。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中从包括锌、锡或其混合物的靶来溅射所述电阻透明缓冲层。

4.如任一前面的权利要求所述的方法，其中所述衬底上形成的所述电阻透明缓冲层包括氧化锌锡。

5.如任一前面的权利要求所述的方法，其中所述溅射气氛还包括氧。

6.如任一前面的权利要求所述的方法，其中所述溅射气氛包括约1％到约25％的氧。

7.如任一前面的权利要求所述的方法，其中所述电阻透明缓冲层(16)上或内沉积的任何水分子在退火期间从所述电阻透明缓冲层(16)蒸发出去。

8.如任一前面的权利要求所述的方法，其中所述电阻透明缓冲层对于约5分钟到约5小时进行退火，优选是对于约15分钟到约1小时。

9.如任一前面的权利要求所述的方法，其中所述电阻透明缓冲层(16)溅射到衬底(12)上的导电透明氧化层(14)上。

10.一种制造镉薄膜光伏器件的方法，所述方法包括：

根据任一前面的权利要求，将电阻透明缓冲薄膜层(16)沉积在衬底(12)上；

在所述电阻透明缓冲层上形成硫化镉层；以及

在所述硫化镉层上形成碲化镉层。

11.如权利要求10所述的方法，还包括：

在溅射所述电阻透明缓冲层(16)之前、在所述衬底(12)上形成导电透明氧化层(14)。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述电阻透明缓冲层(16)具有约0.075μm和约1μm的厚度。