[发明专利]存储器及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器包括：至少一个制做于半导体衬底上的存储阵列；每个存储阵列包括一条页控制线、多个页控制管、多条字线、多条位线及多个页，页按行排列并包含多个字节连接到一页控制管，每一页控制管的漏极接到一页控制线上，每一页控制管的栅极连接到一字线上；每个字节包含至少一个存储单元；

所述存储阵列还包括多个源极控制器件及多条源极线，源极控制器件为源极线提供预设偏置或浮置电位，每条源极线连接到存储阵列同一字节段的所有字节上；

其中，每个存储单元包含一个存储管和一个位选管但无阱偏置；存储管的源极连接到同一字节段的源极线，存储管的栅极连接同一行页控制管的源极，存储管的漏极连接本存储单元位选管的源极；位选管的栅极连接同一行页控制管的栅极及字线，位选管的漏极连接位线，位线连接存储阵列同一列中所有存储单元。

2.如权利要求1所述的存储器，所述源极控制器件包括一个源极控制晶体管，其漏极接同一字节段的源极线，源极接零电位，栅极连接一源极控制线。

3.如权利要求1所述的存储器，所述半导体衬底为P型。

4.如权利要求1所述的存储器，所述存储管为N沟道浮栅遂穿晶体管。

5.如权利要求1所述的存储器，所述位选管为垂直叠栅结构。

6.如权利要求1所述的存储器，所述各页控制管、存储管、位选管都是N型沟道器件。

7.如权利要求1所述的存储器，所述预设偏置为接近于零的电位。

8.如权利要求1所述的存储器，每个字节包含的存储单元数为8。

9.一种擦除如权利要求2所述的存储器的字节的方法，包括：

选取一页上至少一个字节来擦除；

在页控制线上施加一个开启电压；

在源极控制线上施加一个关断电压来关断所有源极控制管，使各条源极线为浮置电位；

在与被选字节在同一行的页控制管和所有位选管的栅极施加一个开启电压；

在与被选字节不在同一行的页控制管和所有位选管的栅极施加一个关断电压；

在被选字节对应的各条位线上施加一个关断电压；

在未选字节对应的各条位线上施加一个开启电压。

10.一种编写如权利要求2所述的存储器的字节的方法，包括：

选取一页上至少一个字节来编写；

在页控制线上施加零电位；

在源极控制线上施加一个关断电压来关断所有源极控制管，使各条源极线为浮置电位；

在与被选字节在同一行的页控制管和所有位选管的栅极施加一个开启电压；

在与被选字节不在同一行的页控制管和所有位选管的栅极施加一个关断电压；

在被选字节对应的各条位线上施加一个对应编写数据的适合电压；

在未选字节对应的各条位线上施加一个关断电压。

11.一种读取如权利要求2所述的存储器的字节的方法，包括：

选取一页上至少一个字节来读取；

在页控制线上施加敏感电压；

在源极控制线上施加一个开启电压来使各条源极线为零电位；

在与被选字节在同一行的页控制管和所有位选管的栅极施加一个选择电压；

在与被选字节不在同一行的页控制管和所有位选管的栅极施加一个关断电压；

在被选字节对应的各条位线上施加一个读取电压；

在未选字节对应的各条位线上施加一个浮置电位。