[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110211906.4 | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102903705A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 胡必强;许时渊 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装结构，包括基板，设置于该基板上的发光二极管芯片，其特征在于：该基板上设有彼此绝缘的第一电极和第二电极，该发光二极管芯片与该第一电极和第二电极分别形成电连接，该发光二极管封装结构还包括设置在该发光二极管芯片上的透光装置，该透光装置包括两平行的透明板和夹设于两透明板之间的荧光层。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该发光二极管封装结构还包括设置于该基板上且密封该发光二极管芯片的透明覆盖层。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该透光装置设置于该透明覆盖层的上方。
4.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该透光装置直接贴附于该发光二极管芯片的上表面，该透明覆盖层密封该透光装置。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该基板还包括一绝缘且具有高热传导性的底板，该第一电极和第二电极设置在该底板上。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该发光二极管芯片通过覆晶的方式分别与该第一电极和第二电极形成电连接。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该荧光层的厚度小于100 um。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该透明板为透明的陶瓷板体。
9.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：
提供一基板，该基板包括一底板以及设置于该底板上且彼此电性绝缘的多对第一电极和第二电极；
在基板上设置若干发光二极管芯片，且每一发光二极管芯片分别与其对应的第一电极和第二电极电连接；
在基板上设置一透明覆盖层，该透明覆盖层密封该若干发光二极管芯片；
提供一透光装置，该透光装置包括两透明板和夹设于两透明板之间的荧光层，且该两透明板相互平行；
将透光装置覆盖于透明覆盖层的上方；
利用微影技术以及蚀刻技术对相邻的两对第一电极和第二电极之间的透光装置和透明覆盖层进行处理，最后对基板进行切割得到单个的发光二极管封装结构。
10.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：
提供一基板，该基板包括一底板以及设置于该底板上且彼此电性绝缘的多对第一电极和第二电极；
在基板上设置若干发光二极管芯片，且每一发光二极管芯片分别与其对应的第一电极和第二电极电连接；
提供一透光装置，该透光装置包括两透明板和夹设于两透明板之间的荧光层，且该两透明板相互平行；
将透光装置贴附于该若干发光二极管芯片的上表面；
利用微影技术以及蚀刻技术对透光装置进行处理，从而使透光装置直接间隔形成在每一发光二极管芯片的上表面；
在基板上设置一透明覆盖层，该透明覆盖层密封该若干发光二极管芯片和间隔设置的透光装置，最后利用切割技术得到单个的发光二极管封装结构。
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