[发明专利]一种在硅衬底上生长非极性面AlN模板的方法

权利要求书

1.一种在硅衬底上生长非极性面AlN模板的方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：

步骤一、选择硅衬底；

步骤二、采用光刻方法在步骤一中选择的硅衬底上制备条形光刻胶掩膜图形；

步骤三、采用电子束蒸发的方法对步骤二制备的光刻胶掩膜图形蒸镀掩膜材料，然后采用Lift Off方法获得图形化掩膜图形；

步骤四、采用湿法腐蚀方法选择性腐蚀硅衬底，获得与硅表面成固定夹角的硅(111)面；

步骤五、采用MOCVD法在步骤四所述的硅表面生长AlN缓冲层；然后采用高温MOCVD法继续生长AlN模板，获得在硅衬底上长非极性面的AlN模板。

2.根据权利要求1所述的一种在硅衬底上生长非极性面AlN模板的方法，其特征在于，步骤一所选择的硅衬底为硅(110)、硅(001)或者硅(113)衬底。

3.根据权利要求1所述的一种在硅衬底上生长非极性面AlN模板的方法，其特征在于，步骤二所述的在硅衬底上制备的条形光刻胶掩膜图形的窗口尺寸为3～10μm，窗口间距为3～10μm。

4.根据权利要求1所述的一种在硅衬底上生长非极性面AlN模板的方法，其特征在于，步骤三所述的掩膜材料为钨金属，蒸镀掩膜材料的厚度为30～100nm。

5.根据权利要求1所述的一种在硅衬底上生长非极性面AlN模板的方法，其特征在于，步骤三所述的Lift Off方法所用的溶液为丙酮。

6.根据权利要求1所述的一种在硅衬底上生长非极性面AlN模板的方法，其特征在于，步骤四所述的湿法腐蚀硅衬底所用的腐蚀溶液为KOH腐蚀液，所述溶液的溶度为30～60％，腐蚀温度为20～80℃。

7.根据权利要求1所述的一种在硅衬底上生长非极性面AlN模板的方法，其特征在于，步骤五所述的采用MOCVD法生长AlN缓冲层的温度为800～1000℃，生长AlN缓冲层的室压力为100mbar，AlN缓冲层厚度为30～50nm。

8.根据权利要求1所述的一种在硅衬底上生长非极性面AlN模板的方法，其特征在于，步骤五所述的采用高温MOCVD法生长AlN模板的温度为1300℃，生长的室压力为50mbar，生长的AlN模板的厚度为500nm～2μm。