[发明专利]N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：

1)提供一蓝宝石衬底，并于所述蓝宝石衬底的上表面形成发光外延层；

2)于所述发光外延层上蒸镀一透明导电层；

3)采用低温电子束蒸镀及辅助离子源夯实成膜技术在所述透明导电层上制备出N型导电导热超晶格DBR层，并通过高温退火以使所述透明导电层与所述N型导电导热超晶格DBR层和发光外延层同时形成欧姆接触；

4)提供一导电性衬底，采用晶圆键合技术将所述导电性衬底键合至所述N型导电导热超晶格DBR层的上表面以形成P电极；

5)利用激光剥离技术剥离所述蓝宝石衬底，以将所述蓝宝石衬底从所述发光外延层的下表面剥离；以及

6)于所述发光外延层的下表面制备出N电极。

2.根据权利要求1所述的N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片的制作方法，其特征在于：于步骤3)中，制备出的所述N型导电导热超晶格DBR层为第一种透明导电导热薄膜与折射率不同于所述第一种透明导电导热薄膜的第二种透明导电导热薄膜和/或第n种透明导电导热薄膜交替叠合的多层结构。

3.根据权利要求2所述的N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片的制作方法，其特征在于：所述第一种透明导电导热薄膜为N型掺杂超晶格型透明导电导热薄膜Al_xGa_1-xN；所述第二种透明导电导热薄膜为N型掺杂超晶格型透明导电导热薄膜Al_yGa_1-yN，所述第n种透明导电导热薄膜为N型掺杂超晶格型透明导电导热薄膜Al_nGa_1-nN。

4.根据权利要求1所述的N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片的制作方法，其特征在于：于步骤4)中，是通过一键合层将所述导电性衬底键合至所述N型导电导热超晶格DBR层的上表面的；所述键合层为金属材料、合金材料、非金属导电材料、或者有机导电材料，且所述键合层为单层结构或多层结构。

5.根据权利要求1所述的N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片的制作方法，其特征在于：所述导电性衬底为金属材料、合金材料、或者非金属导电材料，且所述导电性衬底为单层结构或多层结构。

6.一种N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片，其特征在于，包括：

发光外延层；

透明导电层，叠置于所述发光外延层的上表面；

N型导电导热超晶格DBR层，叠置于所述透明导电层的上表面；

导电性衬底，键合于所述N型导电导热超晶格DBR层的上表面以形成P电极；以及N电极，接置于所述发光外延层的下表面。

7.根据权利要求6所述的N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片，其特征在于：所述N型导电导热超晶格DBR层为第一种透明导电导热薄膜与折射率不同于所述第一种透明导电导热薄膜的第二种透明导电导热薄膜和/或第n种透明导电导热薄膜交替叠合的多层结构。

8.根据权利要求7所述的N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片，其特征在于：所述第一种透明导电导热薄膜为N型掺杂超晶格型透明导电导热薄膜Al_xGa_1-xN；所述第二种透明导电导热薄膜为N型掺杂超晶格型透明导电导热薄膜Al_yGa_1-yN，所述第n种透明导电导热薄膜为N型掺杂超晶格型透明导电导热薄膜Al_nGa_1-nN。

9.根据权利要求6所述的N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片，其特征在于：还包括有键合层，位于所述导电性衬底与所述N型导电导热超晶格DBR层之间，所述键合层为金属材料、合金材料、非金属导电材料、或者有机导电材料，且所述键合层为单层结构或多层结构。

10.根据权利要求6所述的N型导电导热超晶格DBR垂直式蓝光LED芯片，其特征在于：所述导电性衬底为金属材料、合金材料、或者非金属导电材料，且所述导电性衬底为单层结构或多层结构。