[发明专利]薄膜太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池，包含由下而上依次堆栈的一玻璃基板、一第一电极层、一光吸收层、一第二电极层以及一金属层，其特征在于：所述第二电极层具有一粗糙表面，其中该粗糙表面具有若干个凹陷部，所述凹陷部宽度介于100nm～1600nm之间，且凹陷部深度小于800nm。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述粗糙表面是通过一蚀刻方式所形成，且该蚀刻方式是在室温环境下以小于1％稀释盐酸溶液所进行，蚀刻时间小于5分钟。

3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述粗糙表面的若干凹陷部用于反射波长介于500nm～1200nm的入射光线。

4.根据权利要求2所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述粗糙表面的若干凹陷部宽度较佳介于300nm～400nm之间。

5.根据权利要求2所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述粗糙表面的若干凹陷部深度较佳介于150nm～200nm之间。

6.一种薄膜太阳能电池制作方法，其特征在于，包含下列步骤：

提供一玻璃基板；

在所述玻璃基板上形成一第一电极层；

在所述第一电极层上形成一光吸收层；

在所述光吸收层上形成一第二电极层；

对所述第二电极层进行蚀刻，使该第二电极层形成一粗糙表面，且该粗糙表面具有若干个凹陷部；以及

在所述第二电极层的所述粗糙表面上形成一金属层。

7.根据权利要求6所述的薄膜太阳能电池制作方法，其特征在于，所述粗糙表面的若干凹陷部宽度介于100nm～1600nm之间且其深度小于800nm。

8.根据权利要求6所述的薄膜太阳能电池制作方法，其特征在于，所述蚀刻是在室温环境下以小于1％稀释盐酸溶液进行，蚀刻时间小于5分钟。

9.根据权利要求8所述的薄膜太阳能电池制作方法，其特征在于，进一步包含一热处理步骤，用于干燥所述第二电极层。