[发明专利]具有粘附性电流阻挡层的LED芯片及其制作方法有效
申请号: | 201110212710.7 | 申请日: | 2011-07-28 |
公开(公告)号: | CN102903801A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 林宇杰 | 申请(专利权)人: | 上海博恩世通光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/36 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 200030 上海市徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 粘附 电流 阻挡 led 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一种具有粘附性电流阻挡层的LED芯片的制作方法,其特征在于,所述制作方法至少包括以下步骤:
1)提供一蓝宝石衬底,并于所述蓝宝石衬底的上表面形成一发光外延层;
2)于所述发光外延层上分别定义出P-pad区及N区,交替使用刻蚀气体和钝化气体在所述P-pad区蚀刻出具有波浪纹侧壁及平整底面的凹槽;
3)于所述凹槽的表面蒸镀一层Al2O3材料,使其形成顺应该凹槽形状的电流阻挡层,以使所述电流阻挡层形成为具有波浪纹侧壁及平整底面的第一层凹陷结构;
4)于所述电流阻挡层的表面蒸镀一层顺应该第一层凹陷结构的漫反射型反射层,以使所述漫反射型反射层形成为具有波浪纹侧壁及平整底面的第二层凹陷结构;
5)于所述发光外延层及漫反射型反射层上形成一透明导电层,并蚀刻所述透明导电层,以使所述第二层凹陷结构以及N区外露出所述透明导电层;以及
6)于所述第二层凹陷结构上制作出P-pad,以及于所述N区上制作出N-pad。
2.根据权利要求1所述的具有粘附性电流阻挡层的LED芯片的制作方法,其特征在于:所述漫反射型反射层为单层的漫反射型反射层结构或者多层的复合式漫反射型反射层结构。
3.根据权利要求1所述的具有粘附性电流阻挡层的LED芯片的制作方法,其特征在于:所述漫反射型反射层为单质金属反射层或合金反射层。
4.根据权利要求1所述的具有粘附性电流阻挡层的LED芯片的制作方法,其特征在于:于所述步骤6)中,所述P-pad的底部接置于所述第二层凹陷结构的平整底面上并与所述波浪纹侧壁相咬合。
5.一种具有粘附性电流阻挡层的LED芯片,其特征在于,所述LED芯片至少包括:
蓝宝石衬底;
发光外延层,形成于所述蓝宝石衬底的上表面,具有P-pad区及N区,且所述P-pad区具有一凹槽,且所述凹槽具有波浪纹侧壁及平整底面,所述N区设置有N-pad;
电流阻挡层,形成于所述凹槽上,为一顺应所述凹槽形状的第一层凹陷结构,且所述第一层凹陷结构具有波浪纹侧壁及平整底面,所述电流阻挡层为Al2O3材料;
漫反射型反射层,形成于所述电流阻挡层上,为一顺应所述第一层凹陷结构的第二层凹陷结构,且所述第二层凹陷结构具有波浪纹侧壁及平整底面,所述第二层凹陷结构上设置有P-pad;以及
透明导电层,形成于所述发光外延层及漫反射型反射层上,并外露出所述P-pad及N区。
6.根据权利要求5所述的具有粘附性电流阻挡层的LED芯片,其特征在于:所述漫反射型反射层为单层的漫反射型反射层结构或多层的复合式漫反射型反射层结构。
7.根据权利要求5所述的具有粘附性电流阻挡层的LED芯片,其特征在于:所述漫反射型反射层为单质金属反射层或合金反射层。
8.根据权利要求5所述的具有粘附性电流阻挡层的LED芯片,其特征在于:所述P-pad的底部接置于所述第二层凹陷结构的平整底面上并与所述波浪纹侧壁相咬合。
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