[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201110212815.2 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102903637A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 卜伟海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 魏宁;汪洋 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括下述步骤：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，并且在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分形成有凹槽；
在栅极结构两侧形成牺牲侧墙；
在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分进行刻蚀加深凹槽；
在凹槽的底部和侧壁上形成埋氧化层，然后去除牺牲侧墙；
淀积多晶硅并进行平坦化后，回蚀刻多晶硅至浅槽隔离结构上的多晶硅具有一厚度为止；
去除浅槽隔离结构上的多晶硅；
形成源漏区。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲侧墙的厚度为20-60nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀加深凹槽的步骤包括各向异性刻蚀和各向同性刻蚀。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述各向异性刻蚀采用干法刻蚀。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，采用所述各向异性刻蚀方法刻蚀凹槽的深度为50-200nm。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述各向同性刻蚀采用干法刻蚀或湿法刻蚀。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法氧化形成所述埋氧化层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述湿法氧化的温度为700-750℃。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述埋氧化层的厚度在20nm以下。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀去除所述牺牲侧墙。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用各向异性的干法刻蚀来回蚀刻多晶硅。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述厚度为10-20nm。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述牺牲侧墙的材料为抗氧化材料。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述抗氧化材料为氮化硅。
15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分形成凹槽之前还包括在所述栅极结构的侧壁上形成偏移侧墙以及在所述偏移侧墙之下形成轻掺杂源/漏区的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
