[发明专利]半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

导电载体，其具有上表面、下表面和侧表面，所述侧表面包括邻近于所述导电载体的所述上表面的第一部分和邻近于所述导电载体的所述下表面的第二部分，其中所述第二部分相对于所述导电载体的所述下表面而向内倾斜；

芯片，设置于邻近于所述导电载体的所述上表面；

图案化导电层；以及

介电材料，其包封所述芯片，其中所述介电材料定义出开口，所述图案化导电层穿过所述开口电连接到所述导电载体的所述上表面。

2.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一部分倾斜。

3.如权利要求2所述的半导体封装，其中所述介电材料具有侧表面，且包封所述第一部分。

4.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述导电载体的所述侧表面包括位于所述第一部分与所述第二部分之间的接面处的顶点。

5.如权利要求1所述的半导体封装，其中：

所述介电材料具有侧表面；以及

所述第一部分与所述介电材料的所述侧表面共面。

6.如权利要求1所述的半导体封装，其中：

所述介电材料具有定义出平面的侧表面；

所述第二部分包括邻近于所述导电载体的所述下表面的下半部，以及在所述下半部与所述导电载体的所述侧表面的所述第一部分之间延伸的上半部；以及

所述第二部分的所述下半部相对于所述平面倾斜少于15度。

7.如权利要求6所述的半导体封装，其中所述第二部分包括环绕所述半导体封装的凹口。

8.如权利要求1所述的半导体封装，其还包括耦合到所述导电载体的所述下表面的电镀层。

9.如权利要求8所述的半导体封装，其中所述电镀层更耦合到所述第二部分。

10.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述导电载体定义出包括于所述导电载体的所述上表面中的具有凹槽底部的凹槽。

11.一种半导体封装，包括：

导电载体，其具有上表面、下表面和侧表面，所述侧表面包括邻近于所述导电载体的所述上表面的第一部分、邻近于所述导电载体的所述下表面的第二部分，以及位于所述第一部分与所述第二部分之间的接面处的顶点；

芯片，设置于邻近于所述导电载体的所述上表面；以及

介电材料，其具有垂直的侧表面，且包封所述第一部分，

其中所述第二部分具有相对于所述垂直的侧表面的角偏移。

12.如权利要求11所述的半导体封装，其中：

所述导电载体定义出包括于所述导电载体的所述上表面中的凹槽；

所述凹槽具有第一高度；

所述芯片具有第二高度；以及

所述第一高度至少与所述第二高度一样大。

13.如权利要求11所述的半导体封装，其中所述第二部分包括凹口。

14.如权利要求13所述的半导体封装，其中所述凹口环绕所述半导体封装。

15.如权利要求11所述的半导体封装，其还包括耦合到所述导电载体的所述下表面的电镀层。

16.一种形成半导体封装的方法，包括：

提供具有上表面和下表面的金属层；

形成从所述金属层的所述上表面延伸且部分地穿过所述金属层的第一开口；

将芯片设置于邻近于所述金属层的所述上表面；

用具有背对所述芯片的上表面的介电层包封所述芯片和所述金属层的所述上表面的至少一部分，所述介电层填入所述第一开口；

在所述介电层中形成第二开口，所述第二开口暴露出所述金属层的所述上表面；

邻近于所述介电层的所述上表面而形成图案化导电层；

形成延伸穿过所述第二开口的导电孔，所述导电孔将所述图案化导电层电连接到所述金属层；以及

形成从所述金属层的所述下表面延伸且部分地穿过所述金属层的第三开口，所述第三开口与所述第一开口对准。

17.如权利要求16所述的形成半导体封装的方法，其中所述第三开口延伸穿过所述金属层以暴露出所述介电层。