[发明专利]一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构及方法

权利要求书

1.一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构，其特征在于：包括抑制横向扩散用环形槽、正面对通隔离扩散区和背面对通隔离扩散区，所述正面对通隔离扩散区内侧设有抑制横向扩散用环形槽，所述抑制横向扩散用环形槽一侧设有环形钝化槽。

2. 根据权利要求1所述的一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构，其特征在于：所述背面对通隔离扩散区环宽为120-160um，正面对通隔离扩散区环宽为60-100um，所述抑制横向扩散用环形槽宽度为20-60um，深度为30-40um。

3. 一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的方法，其特征在于：在正面和背面对通隔离扩散的预扩散降温过程中，外加一步低温短时间氧化，再进行光刻抑制横向扩散用环形槽，通过酸液腐蚀，实现抑制横向扩散用环形槽，其步骤包括：

a、N型硅单晶片，电阻率ρ=20-60Ω.cm，经过腐蚀、抛光后硅片厚度为190-230um，经过SPM清洗处理后，按片装舟，进扩散炉进行表面长氧化，氧化温度为1050-1100℃，通湿氧4-6h，得到氧化膜厚≥8000 ?； 

b、光刻双面匀胶，双面曝光机刻出对通隔离扩散区，包括正面对通隔离扩散区和背面对通隔离扩散区；

c、双面涂硼源预扩，预扩散温度1110-1130℃，扩散时间为2.5-3.5h，通氮气和氧气合成气体，形成对通隔离扩散的表面杂质浓度，在降温1h至890-910℃时，稳定在890-910℃，时间为2-3h，通纯氧气4～6L/min，形成可使光刻胶黏附性好的氧化层及硼硅玻璃层；

d、正面匀胶，单面光刻机刻出抑制横向扩散用环形槽，使用HF:H₂O=1:10的酸液腐蚀二氧化硅层及硼硅玻璃层；

e、采用HF:HNO₃=1：10的酸液腐蚀硅，形成宽度为20-60um，深度为30-40um的抑制横向扩散用环形槽；

f、对通隔离扩散，高温1265-1275℃，130-160h的长时间扩散，形成了正面对通隔离扩散区和背面对通隔离扩散区；

g、基区涂硼源扩散，形成P型阳极扩散区、P型短基区；

h、光刻出发射区，经磷源扩散，形成N⁺型阴极扩散区；

i、光刻出环形玻璃钝化槽；

j、采用HF:HNO₃=1：10的酸液腐蚀硅，形成深度为60-90um的环形玻璃钝化槽，经过玻璃钝化，形成环形玻璃钝化膜；

k、光刻出引线孔及金属电极，最终形成产品。

4. 根据权利要求3所述的一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的方法，其特征在于：所述背面对通隔离扩散区环宽为120-160um，正面对通隔离扩散区环宽为60-100um。