[发明专利]数模混合麦克风有效
申请号: | 201110213383.7 | 申请日: | 2011-07-28 |
公开(公告)号: | CN102340722A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 陈锋;奚剑雄 | 申请(专利权)人: | 杭州硅星科技有限公司 |
主分类号: | H04R3/00 | 分类号: | H04R3/00;H04R1/08 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 王江成 |
地址: | 310012 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数模 混合 麦克风 | ||
1. 一种数模混合麦克风,包括声音传感器(1)和输出端口(15),其特征在于,还包括模拟前置放大电路、数字前置放大电路,所述模拟前置放大电路连接声音传感器(1),所述数字前置放大电路连接所述声音传感器(1),所述输出端口分别连接所述模拟前置放大电路和所述数字前置放大电路,所述模拟前置放大电路和所述数字前置放大电路还分别与控制两种前置放大电路工作或者关闭的自动切换控制电路连接。
2.根据权利要求1所述的数模混合麦克风,其特征在于,所述模拟前置放大电路包括运算放大器(2)、第一NMOS管(3)和电阻R,所述声音传感器(1)一端接地,另一端和所述运算放大器(2)的同相输入端连接,所述运算放大器(2)的输出端与第一NOMS管(3)的栅极连接,所述运算放大器(2)的控制端与所述自动切换控制电路连接,所述第一NMOS管(3)的漏极与输出端口(15)连接,所述第一NMOS管(3)的源极与所述运算放大器(2)的反相输入端连接,所述电阻R一端接地,另一端和所述第一NMOS管(3)的源极连接,所述运算放大器(2)的偏置正极连接输出端口(15),所述运算放大器(2)的偏置负极接地。
3.根据权利要求1所述的数模混合麦克风,其特征在于,所述数字前置放大电路包括模拟预放大器(5)和Σ-Δ模数调制器(6),所述模拟预放大器(5)的输入端连接所述运算放大器(2)的同相输入端,所述模拟预放大器(5)的输出端连接Σ-Δ模数调制器(6)的输入端,所述Σ-Δ模数调制器(6)的输出端连接自动切换控制电路,所述Σ-Δ模数调制器(6)的时钟输入端与Clk端连接,所述Σ-Δ模数调制器(6)的偏置正极连接Vdd,所述Σ-Δ模数调制器(6)的偏置负极接地,所述模拟预放大器(5)的偏置正极连接Vdd,所述模拟预放大器(5)的偏置负极接地。
4.根据权利要求1所述的数模混合麦克风,其特征在于,所述模拟前置放大电路包括模拟放大器和开关管,所述数字前置放大电路包括Σ-Δ模数调制器(6),所述模拟放大器的输入端连接所述声音传感器(1),所述模拟放大器的输出端通过开关管连接所述输出端口(15),所述模拟放大器的输出端还与Σ-Δ模数调制器(6)的输入端连接,所述开关管的控制端与所述自动切换控制电路连接。
5.根据权利要求1或2或3或4所述的数模混合麦克风,其特征在于,所述自动切换控制电路包括数据开关(7)、电源自动切换电路(8)和时钟检测器(9),所述电源自动切换电路(8)分别与Vdd、数据开关(7)、时钟检测器(9)和输出端口(15)连接,所述数据开关(7)分别连接Σ-Δ模数调制器(6)的输出端、时钟检测器(9)和输出端口(15),所述时钟检测器(9)分别连接所述模拟前置放大电路和Σ-Δ模数调制器(6)。
6.根据权利要求5所述的数模混合麦克风,其特征在于,所述数据开关(7)包括第二NMOS管(12)、第一PMOS管(13)和反相器(14),所述第二NMOS管(12)的栅极连接所述反相器(14)的输入端,所述第一PMOS管(13)的栅极连接所述反相器(14)的输出端,所述第二NMOS管(12)的漏极和第一PMOS管(13)的漏极连接,所述第二NMOS管(12)的源极和第一PMOS管(13)的源极连接,所述第二NMOS管(12)的衬底和所述反相器(14)的偏置负极都接地,所述第一PMOS管(13)的衬底和所述反相器(14)的偏置正极都连接电源自动切换电路(8),所述第二NMOS管(12)的源极连接所述输出端口(15),所述第二NMOS管(12)的漏极连接所述Σ-Δ模数调制器(6)的输出端,所述反相器(14)的输入端与时钟检测器(9)连接。
7.根据权利要求5所述的数模混合麦克风,其特征在于,所述电源自动切换电路(8)包括第二PMOS管(10)和第三PMOS管(11),所述第二PMOS管(10)的栅极连接所述第三PMOS管(11)的漏极并与所述输出端口(15)连接,所述第二PMOS管(10)的漏极连接所述第三PMOS管(11)的栅极并与Vdd连接,所述第二PMOS管(10)的源极连接所述第三PMOS管(11)的源极并与所述反相器(14)的偏置正极连接,所述第二PMOS管(10)和第三PMOS管(11)的衬底都与各自的源极连接。
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