[发明专利]存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201110213522.6 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102332433A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 形成 方法 | ||
1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一介质层和第一多晶硅层；
依次刻蚀所述第一多晶硅层、第一介质层、半导体衬底，形成第一凹槽，所述第一凹槽将半导体衬底分为存储区域和电容器区域；
形成填充满所述第一凹槽的第一隔离结构；
在所述第一多晶硅层表面依次形成第二介质层和第二多晶硅层；
刻蚀所述第二多晶硅层，形成暴露第二介质层的第一开口，所述第一开口的位置与部分第一隔离结构及部分电容器区域对应；
在所述存储区域形成存储单元。
2.依据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述电容器区域包括靠近所述第一隔离结构的内边缘和远离所述第一隔离结构的外边缘，在所述存储区域形成存储单元的步骤还包括：
在电容器区域的外边缘形成暴露所述半导体衬底的第二通孔。
3.依据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料是二氧化硅，厚度是80-120埃。
4.依据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第一多晶硅层的厚度是200-600埃。
5.依据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第二介质层是多层堆叠结构，包括依次形成的二氧化硅层、氮化硅层、二氧化硅层，所述第二介质层的厚度是80-150埃。
6.依据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的材料是二氧化硅，厚度是80-150埃。
7.依据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第二多晶硅层的厚度是500-1000埃。
8.一种存储器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区域、电容器区域、以及隔离相邻存储区域和电容器区域的隔离结构；其中，所述存储区域表面形成有存储单元；所述电容器区域表面依次形成有第一介质层、第一多晶硅层、第二介质层、第二多晶硅层；其特征在于，所述隔离结构位于半导体衬底和第一多晶硅层内。
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