[发明专利]磁阻传感器

权利要求书

1.一种磁阻传感器，所述磁阻传感器包括第一和第二磁阻元件，每个磁阻元件在各自的第一端处耦接至公共接地端子，并且每个磁阻元件包括一个或多个磁阻段(12a-12d，14a-14d)，每个磁阻段位于激励线圈的相应段(10a-10d，11a-11d)上面，其中，第一和第二磁阻元件中每一个磁阻元件的磁阻段(12a-12d，14a-14d)的电阻相同，并且与第一磁阻元件相对应的激励线圈的段的电阻和与第二磁阻元件相对应的激励线圈的段的电阻相同，其特征在于，每一个磁阻元件通过隔离层与载体衬底分离，选择隔离层的厚度，使得所述磁阻元件的总电阻与所述磁阻元件和衬底之间的电容的乘积小于激励线圈所承载的激励电流的频谱中最高频率的倒数。

2.一种磁阻传感器，所述磁阻传感器包括第一和第二磁阻元件，每个磁阻元件在各自的第一端耦接至公共接地端子，并且每个磁阻元件包括一个或多个磁阻段(12a-12d，14a-14d)，每个磁阻段位于激励线圈的相应段(10a-10d，11a-11d)上面，其中，第一和第二磁阻元件中每一个磁阻元件的磁阻段(12a-12d，14a-14d)的电阻相同，并且与第一磁阻元件相对应的激励线圈的段的电阻和与第二磁阻元件相对应的激励线圈的段的电阻相同，其特征在于，所述激励线圈包括电并联连接的第一和第二激励线圈元件，第一和第二磁阻元件的磁阻段(12a-12d，14a-14d)分别位于第一和第二激励线圈元件中的相应的激励线圈元件上面。

3.一种磁阻传感器，所述磁阻传感器包括第一和第二磁阻元件，每个磁阻元件在各自的第一端耦接至公共接地端子，并且每个磁阻元件包括一个或多个磁阻段(12a-12d，14a-14d)，每个磁阻段位于激励线圈的相应段(10a-10d，11a-11d)上面，其中，第一和第二磁阻元件中每一个磁阻元件的磁阻段(12a-12d，14a-14d)的电阻相同，并且与第一磁阻元件相对应的激励线圈的段的电阻和与第二磁阻元件相对应的激励线圈的段的电阻相同，其特征在于，第一和第二磁阻元件中每一个包括相同数目的磁阻段(12a-12d，14a-14d)，这些磁阻段配置为使得相同磁阻元件中的相邻磁阻段(12a-12d，14a-14d)在使用中沿着相反方向传导偏置电流，并且所述激励线圈配置为使得激励线圈的每个段(10a-10d，11a-11d)在使用中沿着相同方向传导激励电流。

4.根据任一前述权利要求所述的磁阻传感器，其中第一和第二磁阻元件相同。

5.根据任一前述权利要求所述的磁阻传感器，其中第一和第二磁阻元件中的每一个的第二端耦接至相应的第一和第二输出端子。

6.根据权利要求5所述的磁阻传感器，其中用于在第一和第二磁阻元件中提供偏置电流的偏置电流源(23)耦接在第一和第二输出端子之间。

7.根据权利要求5所述的磁阻传感器，其中在第一和第二磁阻元件中的每一个中分别提供偏置电流的第一和第二偏置电流源(44a、44b)分别耦接在公共接地端子与第一和第二输出端子中相应的输出端子之间。

8.根据任一前述权利要求所述的磁阻传感器，其中所述激励线圈在每一端均与用于在激励线圈中提供激励电流的激励电流源(41)耦接。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的磁阻传感器，其中所述激励线圈在沿其长度的中点处耦接至接地端子。

10.根据权利要求9所述的磁阻传感器，其中用于在激励线圈中提供激励电流的第一和第二激励电流源(41a、41b)分别耦接在接地端子和激励线圈的相应端之间。

11.根据权利要求1、2或4至9中任一项所述的磁阻传感器，其中第一和第二磁阻元件(30a、30b)包括相同偶数个数的排列成对的磁阻段(32a-32d，34a-34d)，所述磁阻段(32a-32d，34a-34d)配置为使得成对磁阻段中的每一个磁阻段(32a-32d，34a-34d)在使用中沿相反的方向传导偏置电流，并且所述激励线圈(31)配置为使得相对于与第二磁阻元件(30b)的磁阻段(34a-34d)相对应的段(38c、38d)，与第一磁阻元件(30a)的磁阻段(32a-32d)相对应的段(38a、38b)在使用中沿相反的方向传导激励电流。