[发明专利]元器件侧壁图形化的制作方法

权利要求书

1.一种元器件侧壁图形化的制作方法，包括下列步骤：

(1)在元器件基片上开槽；

(2)将基片的正面和侧面利用溅射机进行金属化溅射，形成金属电极层；

(3)按照产品正面图形和侧面图形制作光刻掩膜片；

(4)将基片的正面和侧面涂覆光刻胶，再利用光刻机进行图形化曝光，然后显影；

(5)将显影完成的光刻胶进行烘烤，烘烤后进行电镀加厚金属电极层，再加保护膜层；

(6)将光刻胶剥离干净，然后用蚀刻液将薄金层蚀刻干净，再去除保护膜层；

(7)按照产品图形，进行单元电路的划切，最后形成侧面带有电极图形的元器件。

2.根据权利要求1所述元器件侧壁图形化的制作方法，其特征在于：所述的(1)步骤中，元器件基片采用陶瓷材料制作而成，该基片上的槽宽0.1-0.3mm，槽间距为0.3-0.8mm。

3.根据权利要求1或2所述元器件侧壁图形化的制作方法，其特征在于：所述的(5)步骤中，所述的保护膜层是镍层。

4.根据权利要求2所述元器件侧壁图形化的制作方法，其特征在于：所述的陶瓷材料是氧化铝陶瓷材料。

5.根据权利要求1所述的元器件侧壁图形化的制作方法，其特征在于：所述的(1)步骤，在元器件基片上开槽包括在元器件的正面和侧面进行开槽。

6.根据权利要求1所述的元器件侧壁图形化的制作方法，其特征在于：所述的金属电极层和加厚金属电极层是纯金或纯铝电极层。