[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于包括：

第一导电型的第一半导体层；

第二导电型的第二半导体层，配置于所述第一半导体层下方；

IGBT单元，具有在所述第一半导体层形成的基极区和发射极区且以所述第二半导体层为集电极层；以及

保护环区，包围配置有所述IGBT单元的单元区，具有在所述第一半导体层形成的保护环，

在所述保护环区的下部中，去除所述第二半导体层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一半导体层包括：

漂移层；以及

缓冲层，其杂质浓度比所述漂移层高，且介于所述漂移层与所述第二半导体层之间；

在所述保护环区中，在所述漂移层的底部形成有所述第二导电型的杂质层。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中越向芯片的外围侧，所述杂质层越厚。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中所述杂质层被分割为多个。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述保护环区的下表面由保护膜覆盖。

6.一种半导体装置，其特征在于包括：

第一导电型的第一半导体层；

第二导电型的第二半导体层，配置于所述第一半导体层下方；

IGBT单元，具有在所述第一半导体层形成的基极区和发射极区，且以所述第二半导体层为集电极层；以及

保护环区，包围配置有所述IGBT单元的单元区，具有在所述第一半导体层形成的保护环；

所述第一半导体层包括：

漂移层；和

缓冲层，其杂质浓度比所述漂移层高，且介于所述漂移层与所述第二半导体层之间；

在所述保护环区中，在所述漂移层的底部形成有所述第二导电型的杂质层。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中越向芯片的外围侧，所述杂质层越厚。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其中所述杂质层被分割为多个。

9.一种半导体装置，其特征在于包括：

第一导电型的第一半导体层；

所述第一导电型的第二半导体层，配置于所述第一半导体层下方，其杂质浓度比所述第一半导体层高；

二极管单元，具有在所述第一半导体层形成的第二导电型的正极层，且以所述第二半导体层为负极层；

负极电极，配置于所述第二半导体层的下表面；以及

保护环区，包围配置有所述二极管单元的单元区，具有形成于所述第一半导体层的保护环，

在所述保护环区下部中，去除所述负极电极。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，在所述保护环区中，在所述第一半导体层的底部形成有所述第二导电型的杂质层。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中越向芯片的外围侧，所述杂质层越厚。

12.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其中所述杂质层被分割为多个。

13.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述保护环区的下表面由保护膜覆盖。

14.一种半导体装置，其特征在于包括：

第一导电型的第一半导体层；

所述第一导电型的第二半导体层，配置于所述第一半导体层下方，其杂质浓度比所述第一半导体层高；

二极管单元，具有在所述第一半导体层形成的第二导电型的正极层，且以所述第二半导体层为负极层；

负极电极，配置于所述第二半导体层的下表面；以及

保护环区，包围配置有所述二极管单元的单元区，且具有在所述第一半导体层形成的保护环，

在所述保护环区中，第一半导体层的底部形成有所述第二导电型的杂质层。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中越向芯片的外围侧，所述杂质层越厚。

16.根据权利要求14或15所述的半导体装置，其中所述杂质层被分割为多个。