[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201110215381.1 | 申请日: | 2011-07-25 |
公开(公告)号: | CN102347452A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 李相泌;宋泳录;宋正培;崔凡洛 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求2010年7月23日递交韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2010-0071597的优先权和权益,该专利申请的公开内容通过引用整体合并于此。
技术领域
根据本发明的实施例的一个或多个方面涉及有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
一般来说,有机发光器件(OLED)具有作为功能性薄膜而形成的有机发光层介于阳极与阴极之间的结构。空穴经由阳极注入,并且电子经由阴极注入,然后电子和空穴在有机发光层中结合,从而在有机发光层中形成激子,并且在彼此复合时发光。
为了实现全色有机发光显示装置,可以使用独立光发射方法、滤色片方法或颜色转换方法等。独立光发射方法涉及通过使用具有精细图案的金属遮光板来热沉积各种红(R)、绿(G)和蓝(B)光发射材料,以便实现R、G和B颜色。滤色片方法涉及形成白光发射层,然后对R、G和B滤色片进行图案化,以便实现R、G和B颜色。颜色转换方法涉及形成蓝光发射层,然后利用颜色转换层将蓝色转换为绿色和红色,以便实现R、G和B颜色。
在利用滤色片方法的有机发光显示装置中,发射的白光的效率在穿过滤色片时降低,因此需要高效率的白光发射材料,并且总效率与利用金属遮光板的精细图案化方法相比较低。
关于涉及利用精细金属遮光板对R、G和B光发射材料进行沉积并图案化的独立光发射方法,当显示器的尺寸和分辨率提高时,由于在制造精细金属遮光板过程中的困难而难以扩大有机发光面板。而且,为了沉积辅助层以及R、G和B光发射材料,需使用精细对准设备。在这点上,当薄膜晶体管(TFT)基板的像素和精细金属遮光板对准时,可能由于先前沉积的有机材料被损坏而形成缺陷像素。而且,大的精细金属遮光板难以制造并且非常昂贵。
发明内容
与传统的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)独立图案化方法相比,根据本发明实施例的一个或多个方面,有机发光显示装置可以防止或降低坏像素的形成,同时减少在制造有机发光显示装置期间改变精细金属掩膜(FMM)的次数。
根据本发明的实施例,一种有机发光显示装置包括:包括红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区的多个子像素区,所述子像素区中的每一个包括位于基板上的第一电极;位于所述基板与所述第一电极之间的分布布拉格反射器(DBR)层;位于所述DBR层上并覆盖所述第一电极的空穴注入层;位于所述空穴注入层上的空穴传输层;位于所述绿色子像素区中的所述空穴注入层与所述空穴传输层之间的辅助层;位于所述蓝色子像素区和所述绿色子像素区中的所述空穴传输层上的绿光发射层;位于所述蓝色子像素区中的所述绿光发射层上的蓝光发射层;以及位于所述红色子像素区中的所述空穴传输层上的红光发射层。
所述DBR层可以通过交替地堆叠第一层和第二层形成,其中所述第一层和所述第二层具有不同的折射率。
所述第一层的折射率可以小于所述第二层的折射率。
所述第一层可以包括氧化硅(SiOx),并且所述第二层可以包括氮化硅(SiNx)。
所述有机发光显示装置可以进一步包括位于所述基板与所述DBR层之间的钝化层。
所述钝化层可以具有大约到大约的厚度。
所述绿光发射层可以具有空穴传输能力。
所述辅助层可以具有空穴传输能力。
所述辅助层可以包括与所述空穴传输层相同的材料。
根据本发明的另一实施例,一种有机发光显示装置,包括:包括红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区的多个子像素区,所述子像素区中的每一个包括位于基板上的第一电极;位于所述基板与所述第一电极之间的分布布拉格反射器(DBR)层;位于所述DBR层上并覆盖所述第一电极的空穴注入层;位于所述空穴注入层上的空穴传输层;位于所述红色子像素区中的所述空穴注入层与所述空穴传输层之间的辅助层;位于所述蓝色子像素区和所述红色子像素区中的所述空穴传输层上的红光发射层;位于所述蓝色子像素区中的所述红光发射层上的蓝光发射层;以及位于所述绿色子像素区中的所述空穴传输层上的绿光发射层。
所述DBR层可以通过交替地堆叠第一层和第二层形成,其中所述第一层和所述第二层具有不同的折射率。
所述第一层的折射率可以小于所述第二层的折射率。
所述第一层可以包括氧化硅(SiOx),并且所述第二层可以包括氮化硅(SiNx)。
所述有机发光显示装置可以进一步包括位于所述基板与所述DBR层之间的钝化层。
所述钝化层可以具有大约到大约的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择