[发明专利]三维结构超材料的制备方法及三维结构超材料有效

专利信息
申请号: 201110215397.2 申请日: 2011-07-29
公开(公告)号: CN102904047A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 刘若鹏;赵治亚;王书文;王文剑 申请(专利权)人: 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司
主分类号: H01Q15/00 分类号: H01Q15/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 三维 结构 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种三维结构超材料的制备方法,其特征在于,包括:

将高分子材料与粉末状无机材料均匀混合,获得混合材料;

将所述混合材料加压成型出片状;

在片状混合材料上形成一层铜箔;

在所述铜箔上形成预设的微结构阵列图形,获得超材料板;

对至少两个所述超材料板进行叠层,获得三维结构超材料。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法之前还包括:

将无机材料粉碎,得到粉末状无机材料。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述铜箔上形成预设的微结构阵列图形,具体包括:

在所述铜箔上涂敷一层抗蚀剂材料;

对抗蚀剂材料进行光刻,在抗蚀剂材料上形成预设的微结构阵列图形;

将抗蚀剂材料上的微结构阵列图形转移到所述铜箔上。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在片状混合材料上形成一层铜箔,包括:

在片状混合材料上压合一层铜箔。

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在片状混合材料上形成一层铜箔,包括:

在片状混合材料上采用高分子材料粘结一层铜箔。

6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,将抗蚀剂材料上的微结构阵列图形转移到所述铜箔上,包括:

将抗蚀剂材料上的微结构阵列图形刻蚀到所述铜箔上。

7.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,将抗蚀剂材料上的微结构阵列图形转移到所述铜箔上,包括:

将抗蚀剂材料上的微结构阵列图形蚀刻到所述铜箔上。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述微结构阵列图形中的各微结构为轴对称结构,包括:“工”字形结构、“十”字形结构、或“王”字形结构。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述微结构陈列图形中的各微结构为非轴对称结构,包括:“卐”字形、不等边三角形、平行四边形或不规则闭合曲线。

10.一种三维结构超材料,其特征在于,包括采用权利要求1至9任意一项所述的方法制备的超材料。

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