[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法及光电转换元件

权利要求书

1.一种光电转换元件的制造方法，该光电转换元件包括多个pin结构多层体，该光电转换元件在相同的等离子体反应室中通过等离子体化学气相沉积方法层叠在衬底上，

所述多个pin结构多层体的第一pin结构多层体包括p型硅基半导体层、i型非晶硅基半导体层、以及n型硅基半导体层，

所述多个pin结构多层体的第二pin结构多层体包括p型硅基半导体层、i型晶体硅基半导体层、以及n型硅基半导体层，

采用脉冲调制交流电源作为等离子体处理的电源形成所述第一pin结构多层体的所述i型非晶硅基半导体层，以及

采用连续波形交流电源作为等离子体处理的电源形成所述第二pin结构多层体的所述i型晶体硅基半导体层。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件的制造方法，其中

所述第一pin结构多层体的所述i型非晶硅基半导体层在以下条件下形成：

沉积期间的气压在从200Pa到3000Pa的范围内，

衬底的基底温度为250℃或更低，以及

阴极的每单位面积的功率密度在从0.01W/cm²到0.3W/cm²的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件的制造方法，其中

所述第一pin结构多层体的p型硅基半导体层为p型非晶硅基半导体层，并且

采用脉冲调制交流电源作为等离子体处理的电源形成所述p型非晶硅基半导体层。

4.根据权利要求3所述的光电转换元件的制造方法，其中

所述第一pin结构多层体的所述p型非晶硅基半导体层在以下条件下形成：

沉积期间的气压在从200Pa到3000Pa的范围内，

衬底的基底温度为250℃或更低，以及

阴极的每单位面积的功率密度在从0.01W/cm²到0.3W/cm²的范围内。

5.根据权利要求4所述的光电转换元件的制造方法，其中

由i型非晶硅基半导体制成的缓冲层插入在所述第一pin结构多层体的所述p型硅基半导体层与所述第一pin结构多层体的所述i型非晶硅基半导体层之间；

采用脉冲调制交流电源作为等离子体处理的电源形成所述缓冲层。

6.根据权利要求5所述的光电转换元件的制造方法，其中

所述缓冲层在以下条件下形成：

沉积期间的气压在从200Pa到3000Pa的范围内，

衬底的基底温度为250℃或更低，以及

阴极的每单位面积的功率密度在从0.01W/cm²到0.3W/cm²的范围内。

7.根据权利要求4所述的光电转换元件的制造方法，其中

所述第一pin结构多层体的n型硅基半导体层为n型晶体硅基半导体层，并且

采用连续波形交流电源作为等离子体处理的电源形成所述n型晶体硅基半导体层。

8.根据权利要求4所述的光电转换元件的制造方法，还包括步骤：

在层叠所述pin结构多层体之前，采用脉冲调制交流电源作为等离子体处理的电源在所述等离子体反应室中进行等离子体蚀刻。

9.根据权利要求8所述的光电转换元件的制造方法，其中

重复执行所述层叠所述pin结构多层体的步骤以及所述进行等离子体蚀刻的步骤。

10.根据权利要求4所述的光电转换元件的制造方法，其中

在设置在所述等离子体反应室中的阴极和阳极的电极间距离为相同的情况下，形成所述第一pin结构多层体的所述i型非晶硅基半导体层以及所述第二pin结构多层体的所述i型晶体硅基半导体层。

11.根据权利要求4所述的光电转换元件的制造方法，其中

采用经由一个阻抗匹配电路连接到一个电源的多个阴极-阳极对，形成所述第一pin结构多层体的所述i型非晶硅基半导体层以及所述第二pin结构多层体的所述i型晶体硅基半导体层。