[发明专利]无核心层的封装基板及其制造方法有效
申请号: | 201110215623.7 | 申请日: | 2011-07-25 |
公开(公告)号: | CN102867798A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 曾子章;何崇文 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/00;H01L21/60;H01L21/48 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 核心 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种无核心层的封装基板,包括:
线路增层结构,其具有至少一介电层、设于各该介电层上的线路层、及设于各该介电层中且电性连接各该线路层的多个导电结构;
多个第一电性接触垫,其嵌埋于该最下层的介电层上,且电性连接部分该导电结构,并外露于该最下层的介电层表面;
多个金属凸块,其设于该最上层的线路层;
介电保护层,其设于该最上层的介电层、最上层的线路层与该些金属凸块上,且具有外露该金属凸块的多个凹槽,令该金属凸块突出该凹槽底部;以及
第二电性接触垫,其设于各该凹槽中以嵌接各该金属凸块,且该第二电性接触垫电性连接该金属凸块,以供电性连接半导体芯片。
2.根据权利要求1所述的无核心层的封装基板,其特征在于,该线路层嵌埋于该介电层中。
3.根据权利要求1所述的无核心层的封装基板,其特征在于,该导电结构为导电盲孔或导电柱。
4.根据权利要求1所述的无核心层的封装基板,其特征在于,该第一电性接触垫表面的高度齐平或低于该最下层的介电层表面的高度。
5.根据权利要求1所述的无核心层的封装基板,其特征在于,该第二电性接触垫表面的高度与该介电保护层表面的高度齐平。
6.根据权利要求1所述的无核心层的封装基板,其特征在于,该封装基板还包括导电层,其设于该第二电性接触垫与该金属凸块之间、该第二电性接触垫与该介电保护层之间。
7.一种无核心层的封装基板的制造方法,包括:
提供一具有相对两表面的承载板,且于该承载板的表面上形成多个第一电性接触垫;
于该承载板及该些第一电性接触垫上形成线路增层结构,该线路增层结构具有至少一介电层、设于各该介电层上的线路层、及设于各该介电层中且电性连接各该线路层的多个导电结构,该第一电性接触垫埋设于该最下层的介电层中,且部分该导电结构电性连接该些第一电性接触垫;
于该最上层的线路层上形成多个金属凸块;
于该最上层的介电层与最上层的线路层上形成介电保护层,以包覆该些金属凸块;
于该介电保护层上形成多个凹槽,以对应外露该些金属凸块,且该金属凸块突出该凹槽底部;
于各该凹槽中形成用以嵌接及电性连接该金属凸块的第二电性接触垫,以供电性连接半导体芯片;以及
移除该承载板,使各该第一电性接触垫外露于该最下层的介电层表面。
8.根据权利要求7所述的无核心层的封装基板的制造方法,其特征在于,该承载板的相对两表面上设有剥离层,以令该些第一电性接触垫与该最下层的介电层结合于该剥离层上,且借由分离该剥离层以移除该承载板。
9.根据权利要求7所述的无核心层的封装基板的制造方法,其特征在于,该介电层中形成有线路槽,以于该线路槽中形成该线路层。
10.根据权利要求7所述的无核心层的封装基板的制造方法,其特征在于,该导电结构为导电盲孔或导电柱。
11.根据权利要求7所述的无核心层的封装基板的制造方法,其特征在于,形成该金属凸块的材料为铜、镍、锡、金、银或铜锡合金。
12.根据权利要求7所述的无核心层的封装基板的制造方法,其特征在于,该金属凸块是以加成法、半加成法、减成法、电镀、无电镀沉积、化学沉积或印刷的方式形成。
13.根据权利要求7所述的无核心层的封装基板的制造方法,其特征在于,该凹槽是以激光灼烧或电浆蚀刻形成。
14.根据权利要求7所述的无核心层的封装基板的制造方法,其特征在于,该第二电性接触垫表面的高度与该介电保护层表面的高度齐平。
15.根据权利要求7所述的无核心层的封装基板的制造方法,其特征在于,该第二电性接触垫的制造方法包括:
于该介电保护层与该些凹槽上形成导电层;
于该导电层上形成金属材;以及
移除该介电保护层上的金属材与导电层,仅保留该些凹槽中的金属材与导电层,以作为该第二电性接触垫。
16.根据权利要求15所述的无核心层的封装基板的制造方法,其特征在于,移除该介电保护层上的金属材与导电层的方式为刷磨、机械研磨、或化学机械研磨。
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