[发明专利]锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底有效
| 申请号： | 201110215670.1 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102386068A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 魏星;薛忠营;曹共柏;张峰;张苗;王曦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L29/00 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 生长 方法 以及 | ||
1.一种锗硅衬底的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供单晶硅支撑衬底；
在单晶硅支撑衬底表面形成籽晶层，所述籽晶层的材料为单晶锗硅；
在籽晶层的表面形成插入层，所述插入层的材料为锗组分大于籽晶层中锗组分的单晶锗硅；
在插入层的表面形成锗硅晶体层。
2.根据权利要求1所述的锗硅衬底的生长方法，其特征在于，所述锗硅晶体层由固定组分的锗硅晶体或者渐变组分的锗硅晶体构成。
3.根据权利要求1所述的锗硅衬底的生长方法，其特征在于，所述生长插入层的步骤进一步包括多次交替实施生长第一插入层的步骤和第二插入层的步骤，以获得第一插入层和第二插入层的堆叠结构，所述第一插入层和第二插入层均为单晶锗硅层，且第一插入层与第二插入层具有不同的锗组分。
4.根据权利要求3所述的锗硅衬底的生长方法，其特征在于，所述第一插入层和第二插入层的总厚度为5nm至1 μm。
5.一种锗硅衬底，包括单晶硅支撑衬底、籽晶层和锗硅晶体层以及设置于前籽晶层和锗硅晶体层之间的插入层，所述籽晶层的材料为单晶锗硅，其特征在于，所述插入层的材料为锗组分大于籽晶层中锗组分的单晶锗硅。
6.根据权利要求5所述的锗硅衬底，其特征在于，所述插入层进一步包括由多个第一插入层和多个第二插入层交替设置构成的堆叠结构，所述第一插入层和第二插入层均为单晶锗硅层，且第一插入层与第二插入层具有不同的锗组分。
7.根据权利要求6所述的锗硅衬底，其特征在于，所述第一插入层和第二插入层的总厚度为5 nm至1 μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
