[发明专利]温控半导体处理装置

权利要求书

1.一种温控半导体处理装置，其特征在于，其包括：

一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室部，半导体晶圆被装载于所述微腔室部内形成的空腔中，且半导体晶圆与所述空腔的内壁之间形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室部中还包括至少一个供处理流体进入所述空腔的入口和至少一个供处理流体排出所述空腔的出口，

所述微腔室部还包括有设置于所述空腔的外围区域的温度控制模块。

2.根据权利要求1所述的温控半导体处理装置，其特征在于，所述温度控制模块为形成于所述微腔室部中的一条曲折微通道，所述曲折微通道包括若干条首尾相接并且平行于所述空腔内壁的微通道，所述微腔室部中还包括对应于所述曲折微通道的导热媒介入口和导热媒介出口。

3.根据权利要求1所述的温控半导体处理装置，其特征在于，所述温度控制模块为形成于所述微腔室部中的若干条平行于所述空腔内壁的微通道，所述微腔室部中还包括若干对对应于每条微通道的导热媒介入口和导热媒介出口。

4.根据权利要求1所述的温控半导体处理装置，其特征在于，所述温度控制模块为形成于所述微腔室部中的一条曲折微通道，所述曲折微通道沿曲折路径延伸形成，所述曲折路径包括至少一条从中心向四周延伸的路径，所述中心对应于所述供处理流体进入所述空腔的入口。

5.根据权利要求4所述的温控半导体处理装置，其特征在于，所述曲折路径为一条螺线路径或者两条沿所述中心对称的螺线路径。

6.根据权利要求5所述的温控半导体处理装置，其特征在于，所述螺线为阿基米德螺线或者费马螺线。

7.根据权利要求4至6任一所述的温控半导体处理装置，其特征在于，所述曲折微通道为并列的两条管状通道，其中一条管状通道的导热媒介入口相邻与另一条管状通道的导热媒介出口。

8.根据权利要求1所述的温控半导体处理装置，其特征在于，所述温度控制模块包括若干个温度控制单元，每个温度控制单元对应于所述空腔的不同外围区域。

9.根据权利要求8所述的温控半导体处理装置，其特征在于，所述温度控制单元设置于所述微腔室部内的电阻加热单元或者流体温控单元，所述流体温控单元包括一贮液囊和连通所述贮液囊的导热媒介入口和导热媒介出口。

10.根据权利要求2、3、4、5、6和9任一所述的温控半导体处理装置，所述温控半导体处理装置还包括导热媒介供应装置和导热媒介收集装置，

所述导热媒介供应装置，连接于所述导热媒介入口，用于提供导热媒介，和

所述导热媒介收集装置，连接于所述导热媒介出口，用于收集流经所述微通道后的导热媒介，

其中，所述导热媒介包括加热流体和制冷流体，所述导热媒介供应装置中还包括至少一个调节阀，所述调节阀用于控制所述导热媒介进入所述微通道的流动速率。