[发明专利]掀开式半导体处理装置有效

专利信息
申请号: 201110215818.1 申请日: 2011-07-29
公开(公告)号: CN102903604A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 温子瑛 申请(专利权)人: 无锡华瑛微电子技术有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00
代理公司: 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 代理人: 王爱伟
地址: 214135 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 掀开 半导体 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种掀开式半导体处理装置,其特征在于,其包括:

包括一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室,所述微腔室包括形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部,所述上腔室部和下腔室部的部分边缘通过枢接件枢接,所述上腔室部和所述下腔室部可绕所述枢接件在一用于装载或移除半导体晶圆的打开位置和一用于容纳和处理半导体晶圆的关闭位置之间运动,

在关闭位置时,半导体晶圆被装载于所述上工作表面和下工作表面之间,且所述半导体晶圆与所述微腔室的内壁之间形成有供处理流体流动的空隙,所述微腔室包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口。

2.根据权利要求1所述的掀开式半导体处理装置,其特征在于,所述上腔室部包括上腔室板和可拆卸固定所述上腔室板的上腔室固定部,所述下腔室部包括下腔室板和可拆卸固定所述下腔室板的下腔室固定部,所述上腔室板包括上基板部和自上基板部向下延伸而成的上腔壁,所述下腔室板包括下基板部和自下基板部向上延伸而成的下腔壁,所述上腔室固定部和下腔室固定部通过所述枢接件枢接,

在关闭位置时,所述上腔壁和所述下腔壁密封贴合形成容纳和处理半导体晶圆的空腔。

3.根据权利要求2所述的掀开式半导体处理装置,其特征在于,所述上腔室固定部包括上腔室顶盖和上腔室底盖,所述上腔室板夹持于上腔室顶盖和上腔室底盖之间,

所述下腔室固定部包括下腔室盒体部及插件部,所述下腔室盒体部包括开口于对接面和安装面上的固定槽,所述固定槽的槽壁上形成有自所述安装面延伸的两个相对的导引槽,

所述下腔室板的基板部的两侧自所述下腔室盒体部的安装面滑入并固持于所述导引槽内,此时所述下腔室板的下腔壁突出所述对接面,所述插件的两侧也自所述下腔室盒体部的安装面滑入并固持于所述导引槽内以卡合所述下腔室板。

4.根据权利要求3所述的掀开式半导体处理装置,其特征在于,所述上腔室板的基板部的一个表面与所述上腔室顶盖紧密贴合,所述上腔室顶盖与所述表面贴合的位置形成有多个螺纹孔,对应于所述螺纹孔的螺丝可旋入所述螺纹孔而提供压力于所述上腔室板,所述压力的位置、方向和大小依所述螺丝旋入的位置、方向和长度不同而不同。

5.根据权利要求3所述的掀开式半导体处理装置,其特征在于,所述下腔室盒体部与所述下腔室板的下表面相接触的表面上形成有导流凹槽,所述导流凹槽的出口位于所述下腔室盒体部的下部或者侧面开口处。

6.根据权利要求1所述的掀开式半导体处理装置,其特征在于,所述半导体处理装置还包括处理流体供应装置和处理流体收集装置,

所述处理流体供应装置,连接于供处理流体进入所述微腔室的入口,用于提供处理流体,和

所述处理流体收集装置,连接于供处理流体排出所述微腔室的出口,用于收集处理流体处理半导体晶圆后的废液,

其中,所述处理流体包括化学制剂和气体。

7.根据权利要求1所述的掀开式半导体处理装置,其特征在于,所述微腔室还包括将所述上腔室部和下腔室部的部分边缘卡合在一起的卡合组件,所述卡合组件包括设置于所述上腔室部上的第一卡合部和设置于所述下腔室部上的第二卡合部。

8.根据权利要求7所述的掀开式半导体处理装置,其特征在于,所述卡合组件为母子卡扣、磁力吸附件或者夹具中的一种或者多种。

9.根据权利要求1所述的掀开式半导体处理装置,其特征在于,所述空隙的预定宽度在0.01mm与10mm之间。

10.根据权利要求1所述的掀开式半导体处理装置,其特征在于,所述上工作表面与下工作表面之间还包括用于密封的耦合结构或者密封圈。

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