[发明专利]半导体处理装置及控制方法

权利要求书

1.一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：

包括一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室部，所述微腔室部包括具有上腔室内壁的上腔室部和具有下腔室内壁的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部可在一用于装载或移除半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳半导体晶圆的关闭位置之间移动，

在关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上腔室内壁和下腔室内壁形成的空腔内，且与所述空腔内壁之间形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室部中还包括至少一个供处理流体进入所述空腔的入口和至少一个供处理流体排出所述空腔的出口，

还包括一驱动装置，所述驱动装置包括若干个驱动器，每个驱动器对应于所述上腔室内壁或者下腔室内壁的部分区域，所述驱动器驱动所述上腔室内壁或者下腔室内壁的对应区域与半导体晶圆间的空隙发生改变。

2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述上腔室部或者下腔室部还包括一薄层弹性基板，所述薄层弹性基板的一个表面形成所述上腔室内壁或者所述下腔室内壁，所述薄层弹性基板的另一面与所述若干个驱动器相贴合。

3.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述驱动器是流体驱动器，所述薄层弹性基板的另一面的不同局部区域分别与所述若干个流体驱动器贴合接触，当其中一个流体驱动器膨胀时，可以提供相接触于所述上腔室内壁或者所述下腔室内壁并且指向所述空腔内部的驱动力给所述薄层弹性基板与其贴合的对应区域，使得该局部区域对应的空腔内壁形成凸起；而当某个流体驱动器收缩时，可以提供垂直于所述上腔室内壁或者所述下腔室内壁并且指向所述空腔外部的驱动力给所述薄层弹性基板与其贴合的对应区域，使得该局部区域对应的空腔内壁形成凹陷。

4.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述驱动力的大小与所述流体驱动器膨胀或收缩的程度相关，所述驱动力的方向与所述流体驱动器处于膨胀状态或者收缩状态相关。

5.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述上腔室部或者下腔室部还包括固定或者相连所述薄层弹性基板的盒体部，所述薄层弹性基板和所述盒体部内夹持容纳所述若干个驱动器，所述盒体部提供稳定的支撑力于所述各个驱动器。

6.根据权利要求1至5任一所述的半导体处理装置，其特征在于，所述空隙的预定宽度在0.01mm与10mm之间。

7.根据权利要求6所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理装置还包括处理流体供应装置和处理流体收集装置，

所述处理流体供应装置，连接于供处理流体进入所述空腔的入口，用于提供处理流体，和

所述处理流体收集装置，连接于供处理流体排出所述空腔的出口，用于收集处理半导体晶圆后的处理流体，

其中，所述处理流体包括化学制剂和气体。

8.根据权利要求7所述的半导体处理装置，其特征在于，所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和所述下腔室部可沿贯穿所述柱位孔的立柱的导引下在一用于装载或移除半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳半导体晶圆的关闭位置之间移动。