[发明专利]基于温度补偿的电压基准电路有效

专利信息
申请号: 201110216587.6 申请日: 2011-07-29
公开(公告)号: CN102323847A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 李婷;张正璠;徐鸣远;王育新;刘涛 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
主分类号: G05F3/24 分类号: G05F3/24
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 赵荣之
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 基于 温度 补偿 电压 基准 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电压基准电路,适用于需要低温度系数基准电压的模拟IC和数模混合IC领域,特别涉及一种基于温度补偿的电压基准电路。

背景技术

低温度系数的电压基准电路是许多模拟电路中必不可少的重要部分,其工作原理是:采用正负温度系数电压加权叠加的方式,来产生低温度系数电压,达到降低基准电压随温度变化的目的。传统的电压基准由负温度系数的三极管PN结电压和正温度系数的三极管PN结电压差加权叠加得到,如图1所示(不考虑电阻的温度系数),运算放大器A0使g0点和f0点电压相等,可得ICQ10R30=ICQ20R20,]]>则:

VREF=VBEQ10+ΔVBEQ10,Q20·R20R10---(1)]]>

其中,VBE为三极管Q10的PN结电压,为三极管Q10和Q20的PN结电压差。由于:

VBE=VTln(ICIS)=kTqln(ICb·T2.5·e-EgkT)---(2)]]>

其中,k为波尔兹曼常数,T为绝对温度,q为电子的电量,IC为三极管的集电极电流,b为比例系数,Eg为硅的带隙能量。

再由式(2)可得:

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