[发明专利]适用于铜制程的半导体装置

权利要求书

1.一种适用于铜制程的半导体装置，包含一个以氮化镓系半导体为主要材料构成的本体及至少一组与该本体电连接并用于与外部电路电连接的电极结构；其特征在于，

该电极结构包括一层形成于该本体上并与该本体形成欧姆接触的欧姆接触层、一层形成于该欧姆接触层上的抑制层及一层形成于该抑制层上且以铜为主成份的导线层，构成该欧姆接触层的材料选自钛、铝、镍及至少包含上述元素中的一种的合金，构成该抑制层的材料选自钛、钨、氮化钛、氮化钨及以其中的一种组合为主成份构成的材料。

2.根据权利要求1所述的适用于铜制程的半导体装置，其特征在于，该半导体装置包含二组电极结构及一组栅极结构，且该栅极结构包括一层形成于该本体上的导电材。

3.根据权利要求2所述的适用于铜制程的半导体装置，其特征在于，该欧姆接触层的厚度是165nm～330nm，该抑制层的厚度是10nm～30nm，该导线层由铜所构成，且厚度是50nm～150nm。

4.根据权利要求3所述的适用于铜制程的半导体装置，其特征在于，该本体包括一层以氮化镓为主成份的第一膜层及一层以氮化铝镓为主成份且形成于该第一膜层上的第二膜层，该第二膜层与该电极结构的欧姆接触层连接并相欧姆接触。