[发明专利]固态储存装置及其数据储存方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种储存装置，且特别是有关于一种固态储存装置及其数据储存方法。

背景技术

固态储存装置(Solid State Drive，SSD)中以使用与非门闪存(NANDflash memory)为主要存储元件，而此类的闪存为一种非易失性(non-volatile)的存储器元件。也就是说，当数据写入闪存后，一旦系统电源关闭，而数据仍保存在闪存中。

请参照图1，其所绘示为固态储存装置示意图。该固态储存装置100包括：多个晶粒(die)11～84以及一控制电路92。而控制电路92利用一特定总线，例如SATA总线连接至主机端(Host，未绘示)。

该些晶粒11～84排列成4×8阵列。每一列(row)的八个晶粒分别连接至晶粒选择信号CE0～CE3。再者，每一列的八个晶粒连接至八个通道(channel)IO总线IO0～IO7。而利用晶粒选择信号CE0～CE3以及八个通道IO总线IO0～IO7，控制电路92可存取数据至任何的晶粒。当然，每个晶粒的容量可为2G～16G bytes或者更大，而总容量更大的固态储存装置还可排列成m×n个晶粒的阵列，并不限于图1中的范例。

基本上，每个晶粒是由多个区块(block)所组成，而每个区块中还包括多个页(page)，而数据写入时是以页为最小单位依序写入。

当然，与非门(NAND)闪存的数据储存区块在使用中仍有可能损毁。因此，为了要保持数据的正确性，有人提出一种运用于固态储存装置中的晶粒式独立磁盘冗余阵列(DIE RAID，Die Redundant Array of Independent Disks)技术。此技术是利用晶粒来记录错误修正码(ECC)，当数据损毁后可以作为数据修正的用途。

请参照图2，其所绘示为具晶粒式独立磁盘冗余阵列技术的固态储存装置示意图。在固态储存装置100的控制电路92中具有一错误修正单元93。并且，利用控制电路92来规划所有的晶粒11～84，并将所有的晶粒划分为二个部分，第一部分的晶粒为一使用区域(user area)94而第二部分的晶粒为一保留区域(reserved area)96。

当主机端有写入数据传递至固态储存装置100时，控制电路92中的错误修正单元93需要持续地计算出写入数据的错误修正码。再者，写入数据即存入使用区域94中的晶粒内，而对应的错误修正码则写入保留区域96中的晶粒内。如此，当使用区域94中的特定位置的数据有误时，即可根据相对应保留区域96中的错误修正码搭配该特定位置中的有效数据来予以修正，并达成数据的高度正确性。

请参照图3，其所绘示为已知具晶粒式独立磁盘冗余阵列技术的固态储存装置的数据储存方法。当固态储存装置100开始操作后，即持续地等待主机端发出写入命令。当主机端产生写入数据至固态储存装置100时(步骤S210)，则控制电路92中的错误修正单元93计算出写入数据的错误修正码，并且控制电路92将写入数据储存于使用区域94并将错误修正码写入保留区域94。

然而，当主机端的写入数据的数据量大时，控制电路92除了将数据写入数据储存于使用区域94，还要将错误修正码写入保留区域96，甚至得等待错误修正单元93计算出写入数据的错误修正码，才能将错误修正码写入保留区域96。因此，已知的固态储存装置的数据储存方法在写入数据量大时，会明显地影响了固态储存装置100的写入速度。

发明内容

本发明的目的是改善已知数据储存方法的缺陷，并提出一种固态储存装置的数据储存方法，除了可以提高写入数据的写入速度，并且保有数据的高度正确性。

本发明提出一种固态装置的数据储存方法。该固态储存装置中包括多个晶粒，且该些晶粒中的一第一部分被划分为一使用区域，该些晶粒中的一第二部分被划分为一保留区域，该固态储存装置连接至一主机端，该数据储存方法包括下列步骤：于该主机端产生多个写入数据至该固态储存装置时，将该些写入数据储存于该保留区域；于确认该主机端与该固态储存装置之间未进行数据存取操作时，判断该保留区域中是否有该些写入数据；于确认该保留区域中有该些写入数据时，将该些写入数据储存于该使用区域中；以及计算该使用者区域中的该些写入数据并产生相对应的错误修正码并储存于该保留区域。