[发明专利]制造薄膜晶体管阵列面板的方法及减少杂质缺陷的方法

权利要求书

1.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括：

在基板上形成包括栅电极的栅线；

在所述栅线上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成第一非晶硅层、第二非晶硅层、第一金属层和第二金属层；

在所述第二金属层上形成具有第一部分和第二部分的光致抗蚀剂图案，所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度；

通过利用所述光致抗蚀剂图案作为掩模分别蚀刻所述第二金属层和所述第一金属层，形成第二金属图案和第一金属图案；

用SF₆或包括SF₆和He的气体混合物预处理所述第二金属图案；

通过利用所述光致抗蚀剂图案作为掩模分别蚀刻所述第二非晶硅层和所述第一非晶硅层，形成非晶硅图案和半导体图案；

去除所述光致抗蚀剂图案的所述第一部分；

通过利用所述第二部分作为掩模湿蚀刻所述第二金属图案，形成数据配线的上层；

通过利用所述第二部分作为掩模蚀刻所述第一金属图案和所述非晶硅图案，分别形成所述数据配线的下层和欧姆接触；

在去除所述第二部分之后，在所述上层上形成包括接触孔的钝化层；和

在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过所述接触孔连接到所述上层。

2.如权利要求1所述的方法，其中预处理所述第二金属图案被执行大约10秒。

3.如权利要求1所述的方法，还包括：

在去除所述光致抗蚀剂图案的所述第一部分之后，采用SF₆和O₂的气体混合物对与所述光致抗蚀剂图案的去除的所述第一部分相应的区域执行后处理。

4.如权利要求3所述的方法，其中SF₆和O₂的比例为等于或大于1/20且小于1。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述上层和所述下层形成包括源电极的数据线和面对所述源电极的漏电极，且

所述第一部分设置在与所述源电极和所述漏电极之间的沟道部分相应的位置。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属层包括钛，所述第二金属层包括铜。

7.如权利要求1所述的方法，其中湿蚀刻所述第二金属层在所述光致抗蚀剂图案下面形成底切。

8.如权利要求1所述的方法，其中通过执行干蚀刻形成所述下层和所述欧姆接触。

9.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括：

在基板上形成包括栅电极的栅线；

在所述栅线上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成第一非晶硅层、第二非晶硅层、第一金属层和第二金属层；

在所述第二金属层上形成具有第一部分和第二部分的光致抗蚀剂图案，所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度；

通过利用所述光致抗蚀剂图案作为掩模分别蚀刻所述第二金属层和所述第一金属层，形成第二金属图案和第一金属图案；

通过利用所述光致抗蚀剂图案作为掩模分别蚀刻所述第二非晶硅层和所述第一非晶硅层，形成非晶硅图案和半导体图案；

去除所述光致抗蚀剂图案的所述第一部分；

采用SF₆和O₂的气体混合物对与所述光致抗蚀剂图案的去除的所述第一部分相应的区域执行后处理；

通过利用所述第二部分作为掩模湿蚀刻所述第二金属图案，形成数据配线的上层；

通过利用所述第二部分作为掩模蚀刻所述第一金属图案和所述非晶硅图案，分别形成所述数据配线的下层和欧姆接触；

在去除所述第二部分之后，在所述上层上形成包括接触孔的钝化层；及

在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过所述接触孔连接到所述上层。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述SF₆和O₂的气体混合物具有等于或大于1/20且小于1的SF₆和O₂的比例。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述上层和所述下层形成包括源电极的数据线和面对所述源电极的漏电极，及

所述第一部分设置在与所述源电极和所述漏电极之间的沟道部分相应的位置。