[发明专利]正压冷却工艺

说明书

技术领域

本发明涉及光伏工艺技术领域，特别是涉及一种正压冷却工艺。

背景技术

在现有技术中，对单晶硅棒进行冷却时，采用如下的冷却方式：如图1所示，炉体1连接真空过滤罐2，真空过滤罐2与真空泵3相连接。在冷却时，向炉体1内不断的冲入氩气，同时，真空泵3正果真空过滤罐2将炉体1内不断的抽至真空，气体从真空泵3排气。

这样的工作方法具有以下缺点：首先，真空泵始终处于工作状态，使设备的折旧率增加，降低设备的使用寿命；其次，使用氩气作为冷却气体，氩气的成本较高，也增加了整体的使用成本。

发明内容

本发明目的是提供一种正压冷却工艺。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种正压冷却工艺，加工时，单晶硅棒放置在炉体内，向炉体内部不间断的充入氩气，炉体内的产品处于高温半熔体状态，冷却时，按以下步骤进行：

（1）、停炉1小时，关闭氩气向炉体内充入氮气，冷却1小时；

（2）、关闭炉体主室球阀、停止炉体主室泵，打开与炉体相连接的真空过滤罐的阀柱进行放气，使炉体内的压力达到常压，同时继续向炉体内充入氮气，使炉体内始终处于正压环境下，接近大气压时，打开炉体主室球阀，使真空过滤罐进行自然放气；

（3）、4小时后，关闭氮气，完成冷却。

优选地，在步骤（3）完成后，关闭炉体主室球阀，关闭真空过滤罐的阀柱，再打开炉体主室球阀和炉体主室泵，对炉体内抽真空，对其进行检漏。

优选地，在步骤（1）中，氮气打开至最大。

一种正压冷却工艺，加工时，单晶硅棒放置在炉体内，向炉体内部不间断的充入氩气，炉体内的产品处于高温半熔体状态，冷却时，按以下步骤进行：

（1）、停炉2小时，关闭氩气向炉体内充入氮气；

（2）、关闭炉体主室球阀、停止炉体主室泵，打开与炉体相连接的真空过滤罐的阀柱进行放气，使炉体内的压力达到常压，同时继续向炉体内充入氮气，使炉体内始终处于正压环境下，接近大气压时，打开炉体副室炉筒导泄阀放气，有放气效应后，打开炉体主室球阀导气至真空过滤罐放气，关闭炉体副室炉筒导泄阀；

（3）、6小时后，关闭氮气，完成冷却。

优选地，在步骤（3）完成后，关闭炉体主室球阀，关闭真空过滤罐的阀柱，再打开炉体主室球阀和炉体主室泵，对炉体内抽真空，对其进行检漏。

优选地，在步骤（1）中，氮气打开至最大。

由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点和效果：本发明克服了现有技术中采用真空泵将炉体抽至真空后，对产品进行冷却，减少了设备的使用量；同时，采用氮气进行冷却，降低了气体使用的成本。

附图说明

附图1为本发明炉体的连接示意图；

附图2为炉体的结构示意图。

其中：1、炉体；2、真空过滤罐；3、真空泵；4、炉体主室；5、炉体副室。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述：

如图1所示，炉体1连接真空过滤罐2，在本发明中，控制真空过滤罐2的真空泵3不使用。首先，如图2所示，简述下炉体1的结构，其包括炉体主室4和炉体副室5，其分别设置有控制其内部的阀和泵。

实施例一

针对18^’’、20^’’的炉体，采用以下工艺：

加工时，单晶硅棒放置在炉体1内，向炉体1内部不间断的充入氩气，炉体1内的产品处于高温半熔体状态，冷却时，按以下步骤进行：

首先，停炉1小时，关闭氩气向炉体1内充入氮气，氮气打开至最大，冷却1小时；

对炉体1的副室门的螺丝进行平稳加固，起到防爆目的，后关闭炉体主室球阀、停止炉体主室泵，打开与炉体1相连接的真空过滤罐2的阀柱进行放气，使炉体1内的压力达到常压，同时继续向炉体1内充入氮气，使炉体1内始终处于正压环境下，接近大气压时，打开炉体主室球阀，使真空过滤罐2进行自然放气；