[发明专利]掩膜扩散法制备P型太阳能电池的方法及其结构

权利要求书

1.一种掩膜扩散法制备P型太阳能电池的方法，其特征是：以p型直拉单晶硅为基体，正面通过磷扩散制备P-N结，在正面沉积致密的SiNx薄膜作为背面硼扩散的掩膜，此掩膜在硼扩散完成后并不会完全去除，要保留60-100nm作为正面减反膜，硅片的背面通过硼扩散制备背面场。

2.根据权利要求1所述的掩膜扩散法制备P型太阳能电池的方法，其特征是：掩膜在沉积完成后要经过高温烧结。

3.根据权利要求1或2所述的掩膜扩散法制备P型太阳能电池的方法，其特征是：

具有如下步骤：

a)p型直拉单晶硅表面制绒；

b)磷扩散源制备p-n结，方块电阻为20-150ohm/Sq；

c)腐蚀性酸或碱溶液或激光或腐蚀性浆料刻蚀掉背面的n+扩散层；

d)HF酸去PSG；

e)在正面沉积致密的SiNx薄膜，并经过高温烧结，厚度为150-400nm；

f)硼扩散制备硼背场，方块电阻为20-100ohm/Sq；

g)等离子体刻蚀去除边缘P-N结；

h)HF酸清洗去除BSG，及部分SiNx薄膜，保留60-90nm SiNx薄膜作为正面减反膜及钝化膜；

i)背面沉积20-150nm的Al2O3薄膜，或背面沉积20-150nm的Al2O3薄膜后再沉积30-100nm SiNx或SiO2薄膜形成叠层膜结构；

j)制作正面、背面电极。

4.一种掩膜扩散法制备的P型太阳能电池的结构，其特征是：以P型直拉单晶硅为基体，硅片的正面是覆盖有SiNx薄膜(1)的磷扩散制备的N型发射极(2)，背面是硼扩散制备的背面场(3)，背面场(3)上覆盖有钝化膜和/或减反膜，硅片的正面和背面设置电极(4)。