[发明专利]一种光模块发端闭环调试光功率和消光比的方法有效

专利信息
申请号: 201110218159.7 申请日: 2011-08-01
公开(公告)号: CN102291174A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 余涛;徐元;覃岭 申请(专利权)人: 成都优博创技术有限公司
主分类号: H04B10/08 分类号: H04B10/08
代理公司: 泰和泰律师事务所 51219 代理人: 曾祥坤;杨栩
地址: 610041 四川省成都市高*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 模块 发端 闭环 调试 功率 方法
【权利要求书】:

1.一种光模块发端闭环调试光功率和消光比的方法,其特征在于:

直接从器件资料中读取器件的特征参数,再根据系统需要的平均光功率(AOP)及消光比(ER),计算出在调制端需要输入的电压(Vdac1)和在偏置端需要输入的电压(Vdac2),并根据上述计算得到的在调制端需要输入的电压(Vdac1)和在偏置端需要输入的电压(Vdac2)来设置调制端的输入电压(Vdac1)和偏置端的输入电压(Vdac2)。

2.根据权利要求1所述的光模块发端闭环调试光功率和消光比的方法,其特征在于:

所述读取器件的特征参数为发光效率(SE)、光电二极管的响应度(??)、芯片参考电压值(Vref)、调制电流设置电阻值(Rmodset)、光电二极管响应电流的设置电阻值(Rapcset)。

3.根据权利要求2所述的光模块发端闭环调试光功率和消光比的方法,其特征在于:

所述计算出在调制端需要输入的电压(Vdac1)和在偏置端需要输入的电压(Vdac2)的方法为:

根据平均光功率(AOP)及消光比(ER)计算出高电平的光功率(P1)和低电平的光功率(P0);

根据高电平的光功率(P1)、低电平的光功率(P0)和发光效率(SE)计算出调制电流(Imod);

根据平均光功率(AOP)及光电二极管的响应度(??)计算出光电二极管的响应电流(Impd);

根据光电二极管的相应电流(Impd)、芯片参考电压值(Vref)、光电二极管响应电流的设置电阻值(Rapcset),使用芯片特征公式计算出在调制端需要输入的电压(Vdac1);

根据调制电流(Imod)、芯片参考电压值(Vref)、调制电流设置电阻值(Rmodset),使用芯片特征公式计算出在偏置端需要输入的电压(Vdac2)。

4.根据权利要求1所述的光模块发端闭环调试光功率和消光比的方法,其特征在于:

所述设置调制端的输入电压(Vdac1)的方法,为使用数模转换器设置调制端的输入电压(Vdac1)。

5.根据权利要求1所述的光模块发端闭环调试光功率和消光比的方法,其特征在于:

所述设置调制端的输入电压(Vdac1)的方法,为在调制端并联可变电阻,通过调整可变电阻设置调制端的输入电压(Vdac1)。

6.根据权利要求1所述的光模块发端闭环调试光功率和消光比的方法,其特征在于:

所述设置偏置端的输入电压(Vdac2)的方法,为使用数模转换器设置调制端的输入电压(Vdac2)。

7.根据权利要求1所述的光模块发端闭环调试光功率和消光比的方法,其特征在于:

所述设置偏置端的输入电压(Vdac2)的方法,为在偏置端并联可变电阻,通过调整可变电阻设置偏置端的输入电压(Vdac2)。

8.根据权利要求1所述的光模块发端闭环调试光功率和消光比的方法,其特征在于:所述从器件资料中读取器件的特征参数的方法,具体为使用条码扫描枪读取储存于器件所附条码中的预存的器件特征参数。

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