[发明专利]真空对盒设备及对盒系统

说明书

技术领域

本发明涉及液晶面板制造领域，尤其涉及一种真空对盒设备及对盒系统。

背景技术

在液晶面板的制造过程中，将液晶面板的阵列基板和彩膜基板进行对盒时，常常会在液晶层中出现气泡等不良，严重影响了液晶面板的质量和成品率。并且气泡的产生过程无法监测，这给工艺的改善造成了很大的障碍。

发明内容

本发明的实施例所要解决的技术问题在于提供一种真空对盒设备，能够实现对液晶扩散过程的实时监测，从而改善液晶面板的生产工艺，提高成品率。

为解决上述技术问题，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种真空对盒设备，包括：上基板、与所述上基板相对设置的下基板和信号处理装置，所述上基板的与所述下基板相对的面上设置有电极片，所述电极片覆盖整个所述上基板，所述下基板的与所述上基板相对的面上设置有电极阵列，所述电极阵列的多个电极单元与所述信号处理装置相连接。

所述信号处理装置包括二维建模单元，用于将来自所述电极阵列的电信号转换为液晶扩散模拟图像。

所述电极阵列的多个电极单元为多个微型电极片。

所述的真空对盒设备还包括电源模块，用于给所述真空对盒设备提供电源，以使所述电极片与所述电极阵列的多个电极单元之间形成电容。

所述的真空对盒设备还包括显示装置，用于显示所述液晶扩散模拟图像。

所述上基板和下基板上设置有真空吸附孔。

一种对盒系统，包括上述的真空对盒设备，所述对盒系统用于根据所述液晶扩散模拟图像调整对盒的工艺参数。

所述对盒的工艺参数包括：液晶量、液晶间距、液晶温度和对盒压力。

本发明实施例的真空对盒设备及对盒系统，在上基板的与下基板相对的面上设置电极片，在下基板的与上基板相对的面上设置电极阵列，当给上基板的电极片和下基板的电极阵列充电时，电极片与电极阵列形成电容，液晶扩散的过程中，上基板和下基板之间在有液晶和没有液晶时电容值是不同的，电容值变化会引起下基板的电极阵列产生变化的电流，这样就将上基板和下基板之间有无液晶的变化转换为了电流的变化，也就是将液晶的扩散过程转换为了电信号的变化，实现了对液晶扩散过程的实时监测。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例真空对盒设备的结构示意图之一；

图2为本发明实施例真空对盒设备的结构示意图之二。

附图标记说明：

1、上基板    11、真空吸附孔    12、电极片    2、下基板21、电极阵列    3、信号处理装置    4、显示装置

具体实施方式

本发明实施例提供一种真空对盒设备及对盒系统，实现了对液晶扩散过程的实时监测。

下面结合附图对本发明实施例做详细描述。

实施例一

如图1和图2所示的真空对盒设备，包括：上基板1、与上基板1相对设置的下基板2和信号处理装置3，上基板1的与下基板2相对的面上设置有电极片12，电极片12覆盖整个上基板1，下基板2的与上基板1相对的面上设置有电极阵列21，电极阵列21的多个电极单元与信号处理装置3相连接。

本实施例的真空对盒设备，通过在上基板1的与下基板2相对的面上设置电极片12，在下基板2的与上基板1相对的面上设置电极阵列21，当给上基板1的电极片12和下基板2的电极阵列21充电后，即将电极片12和电极阵列21接入具有电源的电路后，电极片12与电极阵列21之间形成电容。

在给液晶面板的阵列基板和彩膜基板之间充入液晶后，由于C＝εS/d，两基板之间有液晶和没有液晶时介电常数ε是不同的，进而上基板1和下基板2在有液晶和没有液晶时电容值是不同的，且C＝Q/U，Q＝I×t，在电压U没有改变的情况下，电容值C变化会引起下基板2的电极阵列21产生变化的电流，这样就将上基板1和下基板2之间有无液晶的变化转换为了电流的变化，也就是将液晶的扩散过程转换为了电信号的变化。电极阵列21的多个电极单元与信号处理装置3相连接，信号处理装置3按照一定的频率接收来自电极阵列21的电信号。