[发明专利]在基板中嵌入金属材料的方法无效
申请号: | 201110218552.6 | 申请日: | 2011-08-01 |
公开(公告)号: | CN102915949A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 于大全;孙瑜;戴风伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板中 嵌入 金属材料 方法 | ||
1.一种在基板中嵌入金属材料的方法,其特征在于,该方法包括:
在基板上制作孔或槽;
在所述孔或槽中填充所述金属材料的粉料或浆料;
利用微区瞬时加热装置加热所述孔或槽的区域,使所述孔或槽中填充的金属材料烧结;
冷却固化所述孔或槽的区域,使所述金属材料呈块状嵌入到所述基板中。
2.根据权利要求1所述的在基板中嵌入金属材料的方法,其特征在于,所述在孔或槽中填充金属材料的粉料或浆料的步骤之前还包括:
在所述孔或槽的内壁形成用于增加所述金属材料与所述基板润湿性和绝缘性的涂层。
3.根据权利要求2所述的在基板中嵌入金属材料的方法,其特征在于,所述涂层的材料为以下材料中的一种:氧化物层或玻璃材料。
4.根据权利要求3所述的在基板中嵌入金属材料的方法,其特征在于,所述在孔或槽的内壁形成氧化物涂层的方法为热氧化、物理气相沉积或化学气相沉积。
5.根据权利要求1所述的在基板中嵌入金属材料的方法,其特征在于,所述利用微区瞬时加热装置加热孔或槽的区域的步骤同时还包括:
利用惰性气体保护所述被加热的孔或槽的区域。
6.根据权利要求1所述的在基板中嵌入金属材料的方法,其特征在于,所述金属材料为以下材料中的一种或由以下材料中的两种或两种以上构成的合金:镍,铁,铜,铝,铂,金,鈀,钛,钨或银。
7.根据权利要求6所述的在基板中嵌入金属材料的方法,其特征在于,所述金属材料的粉料为金属材料的粒度小于20μm的粉末或纳米级颗粒;所述金属材料的浆料为所述金属材料的导体电子浆料。
8.根据权利要求1所述的在基板中嵌入金属材料的方法,其特征在于,所述微区瞬时加热装置为激光器或等离子体火炬。
9.根据权利要求8所述的在基板中嵌入金属材料的方法,其特征在于,所述利用微区瞬时加热装置加热孔或槽的区域的步骤中:
所述微区瞬时加热装置与所述孔或槽位于所述基板的同侧或两侧。
10.根据权利要求1所述的在基板中嵌入金属材料的方法,其特征在于,所述基板为玻璃基板、陶瓷基板或硅基板。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的在基板中嵌入金属材料的方法,其特征在于,所述冷却固化孔或槽的区域,使金属材料呈块状嵌入到基板中的步骤之后还包括:
利用机械研磨减薄结合机械抛光,或机械研磨减薄结合化学机械抛光,使所述基板减薄到所需厚度,并使嵌入到基板中的块状金属材料的两端暴露出来。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造