[发明专利]双沟槽隔离结构的形成方法

权利要求书

1.一种双沟槽隔离结构的形成方法，包括如下步骤：

提供包括衬底硅，掩埋绝缘层和顶层硅的绝缘体上硅，在所述的顶层硅上依次形成衬垫层，硬掩膜层和第二掩膜层；

以图案化第二掩膜层为掩膜，刻蚀硬掩膜层至暴露出衬垫层，形成第二开口；

在所述硬掩膜层上以及第二开口内形成第一掩膜层，并曝光，显影形成第一掩膜层图案，以所述第一掩膜层图案为掩膜，刻蚀硬掩膜层、衬垫层和部分顶层硅至特定深度，形成第一开口，第一开口区域与第二开口区域部分重叠；

去除所述第一掩膜层图案；

继续刻蚀所述第一开口暴露出的顶层硅至掩埋绝缘层，形成第一沟槽，刻蚀第二开口也同时被刻蚀，暴露出衬垫层和顶层硅，形成第二沟槽。

2.根据权利要求1所述的双沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，形成第一开口后，第一开口对应位置剩余的顶层硅的厚度应为第二沟槽的最终深度，为400埃。

3.根据权利要求1所述的双沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，刻蚀硬掩膜层至暴露出衬垫层，形成第二开口的刻蚀气体包括CHF₃，Cl₂。

4.根据权利要求1所述的双沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，刻蚀硬掩膜层，衬垫层和部分顶层硅形成第一开口的刻蚀气体包括CHF₃和Cl₂，刻蚀SiN的气体对SiN:Si的刻蚀选择比大于2。

5.根据权利要求1所述的双沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，刻蚀第一开口至掩埋绝缘层，形成第一沟槽，同时刻蚀第二开口至暴露出顶层硅，形成第二沟槽的刻蚀气体包括CHF₃和Cl₂。

6.根据权利要求1所述的双沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述的第一沟槽的深度为1000埃，所述的第二沟槽的深度为400埃。