[发明专利]化学机械研磨方法有效
| 申请号： | 201110218623.2 | 申请日： | 2011-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN102909646A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 邵群;王庆玲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/00 | 分类号： | B24B37/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 方法 | ||
1.一种化学机械研磨方法，用于提高固定颗粒研磨垫的研磨效果，包括：
利用固定颗粒研磨垫研磨去除晶圆上的第一待研磨层；
检测所述晶圆的研磨效果，选出具有研磨残留的晶圆；
在所述具有研磨残留的晶圆上覆盖第二待研磨层，所述第二待研磨层的材质与所述第一待研磨层的材质相同；
利用所述固定颗粒研磨垫研磨去除所述第二待研磨层及所述研磨残留。
2.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，在利用所述固定颗粒研磨垫研磨去除晶圆上的第二待研磨层及所述研磨残留的步骤中，所述固定颗粒研磨垫的研磨速率逐渐提高，最后达到一稳定值。
3.如权利要求2所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述稳定值为300～1500埃/分钟。
4.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述第二待研磨层的厚度小于所述第一待研磨层的厚度。
5.如权利要求4所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述第二待研磨层的厚度50～1000埃。
6.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述第一待研磨层为浅沟槽隔离氧化层、铜层、钨层、锗锑碲层或金属栅极介质层。
7.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，在利用所述固定颗粒研磨垫研磨去除晶圆上的第一待研磨层的步骤中，还包括向所述固定颗粒研磨垫和所述第一待研磨层之间流入化学液。
8.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，在利用所述固定颗粒研磨垫研磨去除所述第二待研磨层及所述研磨残留的步骤中，还包括向所述固定颗粒研磨垫和所述第二待研磨层之间流入化学液。
9.如权利要求7或8中所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述化学液中含有高分子添加剂。
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