[发明专利]一种硅基埋栅薄膜太阳能电池无效
申请号: | 201110219044.X | 申请日: | 2011-08-02 |
公开(公告)号: | CN102280501A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 王强;朱海峰;花国然;章国安;陆健 | 申请(专利权)人: | 南通大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/20;H01L31/18 |
代理公司: | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人: | 吴静安 |
地址: | 226019*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅基埋栅 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种硅基埋栅薄膜太阳能电池,包括一顶电极、一与衬底连接的底电极、P型硅薄膜和N型硅薄膜,其中所述顶电极被N型硅薄膜所包裹,所述P型硅薄膜包裹在N型硅薄膜的周围,在P型硅薄膜与N型硅薄膜的结合面上形成闭合环状的PN结,所述底电极与N型硅薄膜连接。
2.根据权利要求1所述的一种硅基埋栅薄膜太阳能电池,其特征在于所述P型硅薄膜和N型硅薄膜的为非晶硅或多晶硅薄膜。
3.根据权利要求1所述的一种硅基埋栅薄膜太阳能电池,其特征在于所述顶电极和底电极为铝或银材料制成的电极,或掺氟氧化锌或氧化铟硒透明制成的电极。
4.如权利要求1所述一种硅基埋栅薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于包括如下步骤:
1)制备底电极;
2)第一次淀积P型硅薄膜,在所述底电极上进行硅薄膜淀积,在淀积的同时进行P型杂质的重掺杂,在底电极上形成P+硅薄膜层;
3)第二次淀积P型硅薄膜,在所述P+硅薄膜上继续淀积,在淀积的同时进行P型杂质的掺杂,在P+硅薄膜层上形成P-硅薄膜层;
4)第一次淀积N型硅薄膜,在所述P-硅薄膜上继续淀积,在淀积的同时进行N型杂质的掺杂,在P-硅薄膜层上形成N-型硅薄膜层;
5)形成欧姆接触区,将镂空有电极窗口的丝网覆盖于所述N-型硅薄膜上,在电极窗口处的N-型硅薄膜上进行N型杂质的重掺杂,在电极窗口处的N-型硅薄膜层上形成N+型硅薄膜;
6)制备顶电极,在上述N+型硅薄膜上进行顶电极淀积,形成顶电极,去除丝网;
7)第二次淀积N型硅薄膜,在去除丝网后的N-型硅薄膜层上及顶电极上继续硅薄膜淀积,同时进行N型杂质的掺杂,形成包围顶电极的N-型硅薄膜层;
8)激光刻蚀P型硅薄膜通槽,在上述N型硅薄膜层两侧用激光刻蚀出连通所述P-硅薄膜层的通槽;
9)第三次淀积P型硅薄膜,对上述通槽继续进行硅薄膜淀积,在淀积硅薄膜的同时进行P型杂质的掺杂,形成包围N型硅薄膜的P-硅薄膜层。
5.根据权利要求4所述的一种硅基埋栅薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于所述P型杂质的重掺杂所形成的P-硅薄膜层,其硅薄膜中掺杂硼元素B的浓度达1013~1015,所述P型杂质的掺杂所形成的P+硅薄膜层,硅薄膜中掺杂硼元素B的浓度达1017~1019,所述N型杂质的重掺杂所形成的N-硅薄膜层,硅薄膜中掺杂磷元素P的浓度达1013~1015,所述N型杂质的掺杂所形成的N硅薄膜层,是指硅薄膜中掺杂磷元素P的浓度达1017~1019。
6.根据权利要求4所述的一种硅基埋栅薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于所述第一、二、三次淀积P型硅薄膜和所述第一、二次淀积N型硅薄膜都采用等离子化学增强气相沉积仪进行的淀积。
7.根据权利要求4所述的一种硅基埋栅薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于所述通槽宽度与N型硅薄膜层的宽度比为1:22~1:18。
8.根据权利要求4所述的一种硅基埋栅薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于所述底电极是通过磁控溅射铝在衬底上形成导电的铝或银薄膜。
9.根据权利要求4所述的一种硅基埋栅薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于所述顶电极是采用磁控溅射方法进行制备的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的