[发明专利]介层窗层的介层窗图案化掩膜分配的方法

说明书

【相关申请案的交叉引用】

本申请案请求申请号为61/418,204的美国临时申请案的优先权，其中美国临时申请案61/418,204在2010年11月30日所提出，且在此将其整体内容以参照方式合并至本申请案中。

本申请案与发明名称为「检测并索引双重图案化布局的方法(Method for Checking and Indexing Double Patterning Layout)」的美国申请案12/788,789有关，其中美国申请案12/788,789在2010年5月27日所提出，且在此将其整体内容以参照方式合并至本申请案中。

技术领域

本发明涉及一种半导体制造，特别是涉及一种使用双重图案化技术(Double Patterning Technology；DPT)的半导体制造。

背景技术

双重图案化工艺为微影(Lithography)所发展的技术，藉以强化元件密度(Feature Density)。通常，为了形成晶圆之上的集成电路(Integrated Circuits；IC)元件，使用包括有涂布光阻并于光阻的上定义图案的微影技术。图案化光阻中的图案先定义于微影掩膜(Mask)中，并以微影掩膜中的透明(Transparent)部分或不透明(Opaque)部分来加以实施。接着，光阻中的图案转移至晶圆制造的元件之上。

随着IC尺寸的向下缩减，光学近接效应(Optical Proximity Effect)显示出一日益严重的问题。当二分隔的元件线条太过靠近彼此时，在二线条间的空间(Space)及/或节距(Pitch)可能超出光源的解析度(Resolution)限制。为了解决此一问题，双重图案化技术为一解决方式。将相近设置的元件线条分隔至同一双重图案化掩膜组的二掩膜中，其中上述二掩膜用来图案化材料层。在双重图案化掩膜组的每个掩膜中，线条与线条间的距离增加而超越了位在单一掩膜中的线条与线条间的距离，因此，能够克服上述的解析度限制。

由此可见，上述现有的双重图案化介层窗掩膜分配方法在方法上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的介层窗层的介层窗图案化掩膜分配的方法，，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种使用DPT的介层窗层的介层窗图案化掩膜分配的方法，藉由考虑介层窗与其底下或其上的金属层的不同掩膜的关联性来建立此介层窗层的介层窗掩膜的分配，来减少制造时其与上下金层间的对齐(或重叠)错误，以增加其与金属层间的置放性(landing)，并增加金属层间的良好连接性，而得到较好的电性及工艺优良率。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种介层窗层的介层窗图案化掩膜分配的方法，其中该方法使用一双重图案化技术，且该方法包括以下步骤：决定该介层窗层的一介层窗是否触及或连接至分配至一第一金属掩膜的一底下金属结构或一上方金属结构；假如该介层窗触及或连接至分配至该第一金属掩膜的该底下金属结构或该上方金属结构，将该介层窗分配至一第一介层窗掩膜，其中该第一介层窗掩膜对准该第一金属掩膜；以及假如该介层窗并未触及或连接至分配至该第一金属掩膜的该底下金属结构或该上方金属结构，将该介层窗分配至一第二介层窗掩膜，其中工艺中该第二介层窗掩膜对齐一第二金属掩膜，该第二金属掩膜不同于该第一金属掩膜。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的的方法，其中所述的介层窗层的多个介层窗对准个别触及或连接的底下金属结构或上方金属结构，藉以改善介层窗置放性、介层窗阻抗或介层窗优良率。

前述的的方法，其中在决定该介层窗层的该介层窗是否触及或连接该底下金属结构或该上方金属结构的步骤之前，更包括：分配部分的该底下金属结构或部分的该上方金属结构至该第一金属遮罩；以及分配另一部分的该底下金属结构或另一部分的该上方金属结构至该第二金属遮罩。

前述的的方法，其还包括：工艺上对准该第一金属掩膜与该第二金属掩膜。