[发明专利]过电流保护组件有效

专利信息
申请号: 201110219372.X 申请日: 2011-07-28
公开(公告)号: CN102903469A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 王绍裘;沙益安;罗国彰;黑大光 申请(专利权)人: 聚鼎科技股份有限公司
主分类号: H01C7/02 分类号: H01C7/02;H01C7/13
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 崔香丹;洪燕
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电流 保护 组件
【权利要求书】:

1.一种过电流保护组件,包括:

两个金属箔片;以及

一PTC材料层,其层叠于该两个金属箔片之间,且其体积电阻值介于0.07至0.32Ω-cm,该PTC材料层包含:

(i)至少一种结晶性高分子聚合物;

(ii)导电碳化陶瓷填料,其分散于该结晶性高分子聚合物之中,其粒径大小是介于0.1μm至50μm之间,体积电阻值小于0.1Ω-cm;及

(iii)导电碳黑填料,其分散于该结晶性高分子聚合物之中,其中,导电碳黑填料与导电陶瓷填料的重量比例介于1∶90~1∶4之间;

而且,该PTC材料层的电阻再现性R100/Ri比值介于3至20之间,Ri为起始电阻值,R100为触发100次后的电阻值。

2.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该导电碳化陶瓷填料占该PTC材料层的重量百分比为65%~90%,导电碳黑填料占该PTC材料层的重量百分比为1%~20%。

3.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该导电碳化陶瓷填料占该PTC材料层的重量百分比为66%~83%,导电碳黑填料占该PTC材料层的重量百分比为6%~18%。

4.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该PTC材料层的体积电阻值是介于0.1至0.3Ω-cm之间。

5.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该PTC材料层的电阻再现性R100/Ri比值是介于4至16之间。

6.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该结晶性高分子聚合物选自:聚烯烃类聚合物、烯烃类单体与压克力类单体的共聚合物、烯烃类单体与乙烯醇类单体的共聚合物及其组合。

7.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该结晶性高分子聚合物选自:高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、聚乙烯蜡、乙烯聚合物、聚丙烯、聚氯乙烯、聚氟乙烯、乙烯-压克力酸共聚合物、乙烯-压克力酯共聚合物、乙烯-乙烯醇共聚合物及其组合。

8.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该导电碳化陶瓷填料选自:碳化钨、碳化钒、碳化钛、碳化硼、碳化硅、碳化锗、碳化钽、碳化锆、碳化铬、碳化钼及其组合。

9.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该导电碳化陶瓷填料外型包含破碎状、多角形、球形或片状。

10.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,导电碳黑填料的粒径大小介于15nm至75nm。

11.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该导电碳黑填料在PTC材料层的重量百分比是介于1%至20%之间。

12.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该PTC材料层另包含非导电填料。

13.根据权利要求12所述的过电流保护组件,其中,该非导电填料是选自:氮化硼、氮化铝、氧化铝、氢氧化镁或其组合。

14.根据权利要求12所述的过电流保护组件,其中,该非导电填料的粒径大小是介于0.1μm至30μm之间。

15.根据权利要求12所述的过电流保护组件,其可承受12V至28V的电压,以及可承受小于等于50安培的电流。

16.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该PTC材料层的厚度大于0.1mm。

17.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其另包含两个金属电极片,该两个金属电极片分别连接该两个金属箔片。

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