[发明专利]过电流保护组件有效
申请号: | 201110219372.X | 申请日: | 2011-07-28 |
公开(公告)号: | CN102903469A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 王绍裘;沙益安;罗国彰;黑大光 | 申请(专利权)人: | 聚鼎科技股份有限公司 |
主分类号: | H01C7/02 | 分类号: | H01C7/02;H01C7/13 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔香丹;洪燕 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电流 保护 组件 | ||
1.一种过电流保护组件,包括:
两个金属箔片;以及
一PTC材料层,其层叠于该两个金属箔片之间,且其体积电阻值介于0.07至0.32Ω-cm,该PTC材料层包含:
(i)至少一种结晶性高分子聚合物;
(ii)导电碳化陶瓷填料,其分散于该结晶性高分子聚合物之中,其粒径大小是介于0.1μm至50μm之间,体积电阻值小于0.1Ω-cm;及
(iii)导电碳黑填料,其分散于该结晶性高分子聚合物之中,其中,导电碳黑填料与导电陶瓷填料的重量比例介于1∶90~1∶4之间;
而且,该PTC材料层的电阻再现性R100/Ri比值介于3至20之间,Ri为起始电阻值,R100为触发100次后的电阻值。
2.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该导电碳化陶瓷填料占该PTC材料层的重量百分比为65%~90%,导电碳黑填料占该PTC材料层的重量百分比为1%~20%。
3.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该导电碳化陶瓷填料占该PTC材料层的重量百分比为66%~83%,导电碳黑填料占该PTC材料层的重量百分比为6%~18%。
4.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该PTC材料层的体积电阻值是介于0.1至0.3Ω-cm之间。
5.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该PTC材料层的电阻再现性R100/Ri比值是介于4至16之间。
6.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该结晶性高分子聚合物选自:聚烯烃类聚合物、烯烃类单体与压克力类单体的共聚合物、烯烃类单体与乙烯醇类单体的共聚合物及其组合。
7.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该结晶性高分子聚合物选自:高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、聚乙烯蜡、乙烯聚合物、聚丙烯、聚氯乙烯、聚氟乙烯、乙烯-压克力酸共聚合物、乙烯-压克力酯共聚合物、乙烯-乙烯醇共聚合物及其组合。
8.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该导电碳化陶瓷填料选自:碳化钨、碳化钒、碳化钛、碳化硼、碳化硅、碳化锗、碳化钽、碳化锆、碳化铬、碳化钼及其组合。
9.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该导电碳化陶瓷填料外型包含破碎状、多角形、球形或片状。
10.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,导电碳黑填料的粒径大小介于15nm至75nm。
11.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该导电碳黑填料在PTC材料层的重量百分比是介于1%至20%之间。
12.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该PTC材料层另包含非导电填料。
13.根据权利要求12所述的过电流保护组件,其中,该非导电填料是选自:氮化硼、氮化铝、氧化铝、氢氧化镁或其组合。
14.根据权利要求12所述的过电流保护组件,其中,该非导电填料的粒径大小是介于0.1μm至30μm之间。
15.根据权利要求12所述的过电流保护组件,其可承受12V至28V的电压,以及可承受小于等于50安培的电流。
16.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其中,该PTC材料层的厚度大于0.1mm。
17.根据权利要求1所述的过电流保护组件,其另包含两个金属电极片,该两个金属电极片分别连接该两个金属箔片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于聚鼎科技股份有限公司,未经聚鼎科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110219372.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。