[发明专利]高亮度发光二极管

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，特别涉及一种高亮度的发光二极管。

背景技术

随着科技的日新月异，对于生活上的照明装置人们也有着越来越多的选择，从传统的钨丝灯泡到日光灯，照明装置不断地推陈出新。近年来发光二极管(Light Emitting Diode，LED)迅速发展，因其具有耗电量低、元件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，故其应用领域愈来愈广泛。

然而，一般发光二极管的亮度确实不比公知的钨丝灯泡或日光灯高，因此若发光二极管所发射出的光线的大部分朝侧面发散而又无法被有效率地利用，此实是更暴露出发光二极管的缺点。因此，此产业的供应商无不期盼将朝侧面发散的光线大致上朝单一方向反射以集中利用，借以提高光通量及光线利用的效能。因此，提供一种具有高亮度的发光二极管，使其更能广泛地应用于各式电器，乃为此业界目前所亟待努力的目标。

发明内容

为了解决现有存在的上述问题，本发明提供一种高亮度发光二极管，包含基板、导体层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极、第二电极以及绝缘结构。导体层、第一半导体层、发光层及第二半导体层自基板的上镀化层，依序向上叠设。第一电极与导体层电性连接，而第二电极穿越导体层、第一半导体层及发光层使上镀化层与第二半导体层电性连接。绝缘结构包含至少二保护层，其环周式地裹覆第二电极，使第二电极与导体层、第一半导体层及发光层电性绝缘，且各保护层的厚度值分别实质上相等于反射频谱中心波长数值除以各保护层的四倍折射率数值所得的商数数值，使至少二保护层共同形成为高反射率的反射层。

本发明提供另一种高亮度发光二极管，包含基板、导体层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极、第二电极以及绝缘结构。导体层、第一半导体层、发光层及第二半导体层自基板的上镀化层，依序向上叠设。第一电极与导体层电性连接，而第二电极穿越导体层、第一半导体层及发光层使上镀化层与第二半导体层电性连接。绝缘结构包含反射层及保护层，反射层直接裹覆第二电极，而保护层裹覆反射层，使第二电极与导体层、第一半导体层及发光层电性绝缘，保护层的厚度值实质上相等于反射频谱中心波长数值除以保护层的四倍折射率数值所得的商数数值。

本发明具有以下有益的效果：本发明利用裹覆于第二电极的绝缘结构以作为反射镜，借以将朝侧面散射的光线大致上朝单一方向集中利用，借此大幅提高发光二极管的亮度。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为本发明高亮度发光二极管的第一实施例的立体透视图；

图2为本发明高亮度发光二极管的第一实施例的剖面示意图(一)；

图3为本发明高亮度发光二极管的第一实施例的剖面示意图(二)；

图4为本发明高亮度发光二极管的第一实施例绝缘结构的剖面示意图；

图5为本发明高亮度发光二极管的第二实施例的立体透视图；

图6为本发明高亮度发光二极管的第二实施例的剖面示意图(一)；

图7为本发明高亮度发光二极管的第二实施例的剖面示意图(二)；以及

图8为本发明高亮度发光二极管的第二实施例绝缘结构的剖面示意图。

上述附图中的附图标记说明如下：

1发光二极管     11基板

111上镀化层     112下镀化层

12导体层        13第一半导体层

14发光层        15第二半导体层

16第一电极      17第二电极

171端部         19绝缘结构

190保护层    194反射层

195保护层

具体实施方式