[发明专利]PN结隔离结构及其形成方法无效
| 申请号： | 201110219442.1 | 申请日： | 2011-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102254933A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 马清杰;陈敏;邵凯 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/761 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | pn 隔离 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种PN结隔离结构，其特征在于，包括：
P型衬底；
位于所述P型衬底上的N型外延层；
贯穿所述N型外延层的沟槽，所述沟槽的底部暴露出所述P型衬底；
填充在所述沟槽中的P型半导体层。
2.根据权利要求1所述的PN结隔离结构，其特征在于，所述P型半导体层为P型掺杂的多晶硅层或P型掺杂的外延层。
3.根据权利要求1所述的PN结隔离结构，其特征在于，所述沟槽的特征尺寸为0.4μm至6μm，深度为4μm至50μm，角度为80°至100°。
4.根据权利要求1所述的PN结隔离结构，其特征在于，所述P型半导体层的掺杂浓度为1016atom/cm3至1021atom/cm3。
5.根据权利要求1所述的PN结隔离结构，其特征在于，所述P型衬底的表面上还形成有N型埋层，所述N型外延层覆盖所述N型埋层。
6.一种PN结隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供P型衬底；
在所述P型衬底上形成N型外延层；
对所述N型外延层和P型衬底进行刻蚀以形成沟槽，所述沟槽贯穿所述N型外延层且其底部暴露出所述P型衬底；
在所述沟槽中填充P型半导体层。
7.根据权利要求6所述的PN结隔离结构的形成方法，其特征在于，在所述沟槽中填充P型半导体层包括：
在所述沟槽中沉积P型掺杂的多晶硅层；或者，
在所述沟槽中外延生长P型掺杂的外延层。
8.根据权利要求6所述的PN结隔离结构的形成方法，其特征在于，所述沟槽的特征尺寸为0.4μm至6μm，深度为4μm至50μm，角度为80°至100°。
9.根据权利要求6所述的PN结隔离结构的形成方法，其特征在于，所述P型半导体层的掺杂浓度为1016atom/cm3至1021atom/cm3。
10.根据权利要求6所述的PN结隔离结构的形成方法，其特征在于，在所述沟槽中填充P型半导体层之后，还包括：对所述P型半导体衬底进行退火。
11.根据权利要求6所述的PN结隔离结构的形成方法，其特征在于，在形成所述P型外延层之前还包括：在所述P型衬底的表面形成N型埋层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海先进半导体制造股份有限公司，未经上海先进半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110219442.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能光伏组件用45°角90°角组装边框组件
- 下一篇：陶瓷基板制造方法
- 同类专利
- 专利分类
