[发明专利]高压元件及其制造方法

权利要求书

1.一种高压元件，形成于一第一导电型基板中，该第一导电型基板具有一基板上表面，其特征在于，该高压元件包含：

一第二导电型埋层，形成于该第一导电型基板中；

一第一导电型井区，形成于该基板上表面下方，且由剖视图视之，该第一导电型井区介于该基板上表面与该第二导电型埋层之间；以及

一第二导电型井区，形成于该基板上表面下方，且该第二导电型井区与该第一导电型井区在水平方向上位于不同位置并相邻接，其中，该第二导电型井区包括一井区下表面，且该井区下表面具有第一部分与第二部分，该第一部分位于该第二导电型埋层上方，并与该第二导电型埋层电性耦接，且该第二部分不在该第二导电型埋层上方，并与该第一导电型基板形成PN接面。

2.如权利要求1所述的高压元件，其中，该第二导电型井区于该高压元件操作于一不导通状态时，大致空乏。

3.如权利要求1所述的高压元件，其中，还包含一第二导电型漂移区，位于该第二导电型井区中，且在水平方向上定义于该第一导电型井区与一漏极之间，其中当该高压元件操作于一不导通状态时，该第二导电型漂移区完全空乏。

4.如权利要求1所述的高压元件，其中，该高压元件为一横向双扩散金属氧化物半导体元件或双扩散漏极金属氧化物半导体元件。

5.如权利要求1所述的高压元件，其中，该第一导电型基板包括一第一导电型裸基板、一第一导电型埋层、或一第一导电型磊晶层；其中该第一导电型埋层由离子植入制程步骤植入第一导电型杂质所形成，且该第一导电型磊晶层由磊晶技术所形成。

6.一种高压元件制造方法，其特征在于，包含：

提供一第一导电型基板，其具有一基板上表面；

形成一第二导电型埋层于该第一导电型基板中；

形成一第一导电型井区于该基板上表面下方，且由剖视图视之，该第一导电型井区介于该基板上表面与该第二导电型埋层之间；以及

形成一第二导电型井区于该基板上表面下方，且该第二导电型井区与该第一导电型井区在水平方向上位于不同位置并相邻接，其中，该第二导电型井区包括一井区下表面，且该井区下表面具有第一部分与第二部分，该第一部分位于该第二导电型埋层上方，并与该第二导电型埋层电性耦接，且该第二部分不在该第二导电型埋层上方，并与该第一导电型基板形成PN接面。

7.如权利要求6所述的高压元件制造方法，其中，该第二导电型井区于该高压元件操作于一不导通状态时，大致空乏。

8.如权利要求6所述的高压元件制造方法，其中，还包含形成一第二导电型漂移区于该第二导电型井区中，且在水平方向上定义于该第一导电型井区与一漏极之间，其中当该高压元件操作于一不导通状态时，该第二导电型漂移区完全空乏。

9.如权利要求6所述的高压元件制造方法，其中，该高压元件为一横向双扩散金属氧化物半导体元件或双扩散漏极金属氧化物半导体元件。

10.如权利要求6所述的高压元件制造方法，其中，该第一导电型基板包括一第一导电型裸基板、一第一导电型埋层、或一第一导电型磊晶层；其中该第一导电型埋层由离子植入制程步骤植入第一导电型杂质所形成，且该第一导电型磊晶层由磊晶技术所形成。