[发明专利]一种低温反应制备高石墨化空心纳米碳球的方法

权利要求书

1.一种低温反应制备高石墨化空心纳米碳球的方法，其特征是，包括步骤如下：

(1)将碳化钙和六水氯化铝置于反应釜中，密封后加热到250-500℃，保温2-5小时使碳化钙和六水氯化铝发生反应，然后冷却至室温；或者先将碳化钙和六水氯化钴置于反应釜中，密封后加热到250-500℃，保温2-5小时使碳化钙和六水氯化钴发生反应，冷却至室温，产物经洗涤、干燥制得实心纳米碳球，再将实心纳米碳球与无水氯化铝均匀混合，置于反应釜中密封加热到250-500℃，保温反应4-5小时，冷却至室温；

(2)将产物经浓盐酸、去离子水清洗，干燥制得尺寸均匀且高度石墨化空心纳米碳球。

2.根据权利要求1所述的低温反应制备高石墨化空心纳米碳球的方法，其特征是，步骤(1)中，碳化钙和六水氯化铝的摩尔比为2～5∶1。

3.根据权利要求1所述的低温反应制备高石墨化空心纳米碳球的方法，其特征是，步骤(1)中，碳化钙和六水氯化钴的摩尔比为2～5∶1。

4.根据权利要求1所述的低温反应制备高石墨化空心纳米碳球的方法，其特征是，步骤(1)中，所述的实心纳米碳球与无水氯化铝的质量比为1∶0.1～1。

5.根据权利要求1所述的低温反应制备高石墨化空心纳米碳球的方法，其特征是，步骤(1)和(2)中的干燥是在50℃～100℃温度下烘干8～10小时。