[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：

发光结构，包括第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层；

波长转换层，形成在发光结构的发光表面的至少一部分上，由包括磷光体颗粒或量子点的光透射材料制成，并在其中具有空腔。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，形成在波长转换层内部的空腔具有球形、圆柱形和多面体形状中的至少一种形状。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，形成在波长转换层内部的多个空腔分隔开地并有规律地布置，以形成图案。

4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中，图案包括具有矩形平行六面体形状并分开地沿一个方向设置的多个空腔和具有矩形平行六面体形状并分开地沿另一方向设置的多个空腔，沿一个方向设置的多个空腔和沿另一方向设置的多个空腔形成格子图案。

5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中，沿一个方向设置的多个空腔和沿另一方向设置的多个空腔设置在相互不同的平面上。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，空腔中的至少一些被暴露。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，空腔中的至少一些被填充有折射率与波长转换层的折射率不同的材料。

8.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其中，空腔填充有包括SiO₂、TiO₂和Al₂O₃中的至少一种的材料。

9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，多个空腔形成在波长转换层的内部并具有无规律的图案。

10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，波长转换层形成在发光结构的上表面和侧表面中的至少一个上。

11.一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：

基底，包括形成在基底的一个表面上的凹进；

发光结构，形成在基底的未形成凹进的另一表面上，并包括第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层；

波长转换层，形成在基底的凹进中并由包括磷光体颗粒或量子点的光透射材料制成。

12.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，波长转换层包括形成在其中的空腔。

13.根据权利要求12所述的半导体发光器件，其中，形成在波长转换层内部的空腔具有球形、圆柱形和多面体形状中的至少一种形状。

14.根据权利要求12所述的半导体发光器件，其中，空腔中的至少一些被暴露。

15.根据权利要求12所述的半导体发光器件，其中，空腔中的至少一些填充有折射率与波长转换层的折射率不同的材料。

16.根据权利要求15所述的半导体发光器件，其中，空腔填充有包括SiO₂、TiO₂和Al₂O₃中的至少一种的材料。

17.根据权利要求12所述的半导体发光器件，其中，多个空腔形成在波长转换层的内部并具有无规律的图案。

18.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，形成在基底上的凹进具有图案，所述图案具有三维形状。

19.根据权利要求18所述的半导体发光器件，其中，具有三维形状的图案具有圆柱形形状或多边柱形形状。

20.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，多个凹进分开地形成在基底上。

21.根据权利要求11所述的半导体发光器件，所述半导体发光器件还包括形成在凹进内部的凹凸结构。

22.根据权利要求21所述的半导体发光器件，其中，形成在凹进内部的凹凸结构具有圆柱形形状或多边柱形形状。