[发明专利]具有高运算反应速度的绝缘栅双载子晶体管

权利要求书

1.一种具有高运算反应速度的绝缘栅双载子晶体管，其包含：一个集极结构、一个漂移区、一个栅极结构，以及一个第一射极结构，该集极结构成第一电性，该漂移区成相反于该第一电性的第二电性并实体接触该集极结构，该栅极结构包括一层导电层，及一层隔离该导电层和该漂移区的介电层，该第一射极结构包括一个成第一电性并实体接触该漂移区和该栅极结构的介电层的井区、一个成第二电性并位于该井区中的源极区，及一个实体接触该井区及该源极区并用于对外电连接的第一接触插塞；其特征在于：其还包含一个第二射极结构，该第二射极结构包括一个成第一电性且实体接触该漂移区的分流区，及一个实体接触该分流区并可对外电连接的第二接触插塞，该分流区借该漂移区不实体接触该第一射极结构的井区和源极区。

2.如权利要求1所述的具有高运算反应速度的绝缘栅双载子晶体管，其特征在于：其还包含一个基极结构，该基极结构包括一个成第二电性并实体接触该漂移区的加速区，该加速区的主要载子浓度大于该漂移区的主要载子浓度。

3.如权利要求2所述的具有高运算反应速度的绝缘栅双载子晶体管，其特征在于：该基极结构还包括一个实体接触该加速区并用于对外电连接的第三接触插塞。

4.如权利要求3所述的具有高运算反应速度的绝缘栅双载子晶体管，其特征在于：该第二接触插塞具有一层实体接触该分流区的附着膜，及一个设置于该附着膜上的金属巨量体。

5.如权利要求4所述的具有高运算反应速度的绝缘栅双载子晶体管，其特征在于：该分流区的主要载子浓度不大于该集极结构的主要载子浓度。

6.如权利要求5所述的具有高运算反应速度的绝缘栅双载子晶体管，其特征在于：该井区的主要载子浓度不大于该集极结构的主要载子浓度。

7.如权利要求6所述的具有高运算反应速度的绝缘栅双载子晶体管，其特征在于：该第一射极结构的井区具有一个成第一电性且实体接触该第一接触插塞的加强部。

8.如权利要求7所述的具有高运算反应速度的绝缘栅双载子晶体管，其特征在于：该第一射极结构的源极区的主要载子浓度不小于该漂移区的主要载子浓度。

9.如权利要求8所述的具有高运算反应速度的绝缘栅双载子晶体管，其特征在于：该集极结构、该井区，与该分流区为p型，该源极区与该加速区为n型。

10.如权利要求8所述的具有高运算反应速度的绝缘栅双载子晶体管，其特征在于：该集极结构、该井区，与该分流区为n型，该源极区与该加速区为p型。