[发明专利]固态摄像器件、其制造方法和电子装置有效

专利信息
申请号: 201110220651.8 申请日: 2011-08-02
公开(公告)号: CN102376726A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 筱原武一 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/225
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 武玉琴;陈桂香
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固态 摄像 器件 制造 方法 电子 装置
【权利要求书】:

1.一种具有背侧照射型结构的固态摄像器件,其包括:

像素区域,所述像素区域中的像素布置成二维矩阵,每个所述像素具有光电转换部和多个像素晶体管;

元件隔离区域,其设置在所述像素区域中,并用于隔离所述像素,所述元件隔离区域包括通过外延生长设置在沟槽中的半导体层;和

光接收表面,其位于半导体基板的与多层布线层相对的后表面侧。

2.如权利要求1所述的固态摄像器件,其中,所述元件隔离区域中的所述半导体层的导电类型与形成所述光电转换部的电荷存储区域的导电类型相反。

3.如权利要求2所述的固态摄像器件,其中,在所述半导体层中具有空洞。

4.如权利要求3所述的固态摄像器件,其中,所述空洞暴露于所述半导体基板的后表面。

5.如权利要求4所述的固态摄像器件,其中,暴露于所述半导体基板的所述后表面的所述空洞填充有绝缘膜。

6.如权利要求4所述的固态摄像器件,其中,暴露于所述半导体基板的所述后表面的所述空洞隔着绝缘膜填充有遮光层。

7.如权利要求4所述的固态摄像器件,其中,暴露于所述半导体基板的所述后表面的所述空洞填充有遮光层。

8.如权利要求5或6所述的固态摄像器件,其中,所述绝缘膜是具有固定负电荷的膜。

9.一种固态摄像器件的制造方法,其包括:

从半导体基板的表面形成具有预定深度的沟槽;

通过外延生长在所述沟槽中填充半导体层,以形成元件隔离区域;

在所述半导体基板中形成像素,以形成像素区域,所述像素区域中的由所述元件隔离区域隔离的所述像素布置成二维矩阵,每个所述像素具有光电转换部和多个像素晶体管;

在所述半导体基板的所述表面上形成多层布线层,在所述多层布线层中布置有多层布线,在所述多层布线层之间设置有至少一个层间绝缘膜;

在所述多层布线层上粘合支撑基板;和

减小所述半导体基板的厚度,使得所述元件隔离区域暴露于所述半导体基板的后表面,且所述半导体基板的所述后表面用作光接收表面。

10.如权利要求9所述的固态摄像器件的制造方法,其中,所述元件隔离区域中的所述半导体层的导电类型与形成所述光电转换部的电荷存储区域的导电类型相反。

11.如权利要求10所述的固态摄像器件的制造方法,其中,在所述半导体层中具有空洞。

12.如权利要求11所述的固态摄像器件的制造方法,其中,所述沟槽形成为比形成有所述光电转换部的活性层的深度更深,在减小所述半导体基板的厚度时,厚度的减小进行到所述活性层的使所述空洞暴露于所述半导体基板的所述后表面的位置。

13.如权利要求12所述的固态摄像器件的制造方法,其还包括:在减小所述半导体基板的所述厚度之后,在所述空洞中填充绝缘膜。

14.如权利要求12所述的固态摄像器件的制造方法,其还包括:在减小所述半导体基板的所述厚度之后,隔着绝缘膜在所述空洞中填充遮光层。

15.如权利要求12所述的固态摄像器件的制造方法,其还包括:在减小所述半导体基板的所述厚度之后,在所述空洞中填充遮光层。

16.如权利要求13或14所述的固态摄像器件的制造方法,其中,使用具有固定负电荷的膜形成所述绝缘膜。

17.如权利要求9-15中任一权利要求所述的固态摄像器件的制造方法,其还包括:在形成所述元件隔离区域之后,紧接着以预定温度进行退火。

18.一种电子装置,其包括:

固态摄像器件;

光学系统,其将入射光引导至所述固态摄像器件的光电转换部;和

信号处理电路,其处理所述固态摄像器件的输出信号,

其中,所述固态摄像器件是权利要求1-8中任一权利要求所述的固态摄像器件。

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