[发明专利]负压回收改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的方法有效
| 申请号： | 201110221007.2 | 申请日： | 2011-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102390833A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 张新;王璜;卢涛 | 申请（专利权）人： | 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 武森涛 |
| 地址： | 614000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 回收 改良 西门子 生产 多晶 废弃 硅烷 方法 | ||
1.负压回收改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的方法，其特征在于经过以下步骤：
1)收集废弃氯硅烷输送到废液储罐，废液储罐压力控制在表压20-900KPa；
2)废液储罐中的氯硅烷废液依靠自身压差进入绝对压力20KPa以下的负压蒸发器，负压蒸发器中的氯硅烷在负压下直接气化成氯硅烷气体；
3)通过抽气机将负压蒸发器中的氯硅烷气体抽入氯硅烷回收储罐，液化形成氯硅烷液体；
4)负压蒸发器中的残留的渣进行水解，然后进行无害化处理。
2.根据权利要求1所述的负压回收改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的方法，其特征在于：废液储罐压力控制在表压50-200KPa。
3.根据权利要求1所述的负压回收改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的方法，其特征在于：废液储罐中不断进行搅拌。
4.根据权利要求1所述的负压回收改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的方法，其特征在于：负压蒸发器中不断进行搅拌。
5.根据权利要求1-4任一项所述的负压回收改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的方法，其特征在于：间歇式向氯硅烷回收储罐中补充其他来源氯硅烷液体，以升高氯硅烷贮罐压力，使进入氯硅烷贮罐的回收氯硅烷气体全部液化形成氯硅烷液体。
6.根据权利要求5所述的负压回收改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的方法，其特征在于：废液储罐顶部安装有冷却器，不凝气体经冷却后进行无害化处理。
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